CVD SiC Fin

Yarı iletken cihazlar daha küçük geometrilere ve daha yüksek entegrasyon seviyelerine doğru gelişmeye devam ettikçe, proses ekipmanlarının giderek daha zorlu koşullar altında çalışması gerekir. Plazma aşındırma, gelişmiş biriktirme ve yüksek sıcaklıktaki üretim ortamları, hazne bileşenlerini aşırı termal strese, agresif reaktif gazlara ve yüksek enerjili iyon bombardımanına maruz bırakır.

Bu zorlukların üstesinden gelmek için Semicorex, gelişmiş Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) teknolojisiyle üretilen yüksek yoğunluklu katı silisyum karbür bileşeni olan CVD SiC Fin'i sunuyor. Tipik olarak yalnızca birkaç on veya yüzlerce mikron ölçen geleneksel SiC ince film kaplamaların aksine, CVD SiC Fin, 500 μm ila 10.000 μm arasında değişen kalınlıklara sahip, oldukça kalın, tamamen yoğun bir silisyum karbür yapısıdır.

Bu benzersiz yapı, en zorlu yarı iletken işleme ortamlarının bazılarında üstün dayanıklılık, daha uzun hizmet ömrü ve olağanüstü performans sağlar.

CVD SiC Fin'i Farklı Kılan Nedir?

Çoğu yarı iletken bileşen, koruma için SiC kaplı grafit veya ince film SiC kaplamalara dayanır. Bu çözümler orta düzey proses koşullarında iyi performans gösterse de, şiddetli plazmaya maruz kalma ve uzun çalışma döngüleri genellikle daha sağlam bir malzeme sistemi gerektirir.

CVD SiC Fin, basit bir yüzey kaplaması yerine kalın, yüksek saflıkta silisyum karbür gövde olarak üretilmiştir. Ortaya çıkan yapı şunları sağlar:

Önemli ölçüde daha fazla malzeme kalınlığı

Daha yüksek yapısal bütünlük

Plazma erozyonuna karşı üstün direnç

Daha uzun çalışma ömrü

Geliştirilmiş boyutsal kararlılık

Daha az kirlenme riski

Kalın üretim karmaşıklığıCVD SiC bileşenleriözellikle karmaşık geometriler ve hassas özellikler üretirken standart ince film ürünlerden önemli ölçüde daha yüksektir.

Yüksek Saflıkta Yoğun SiC Yapısı

CVD biriktirme işlemi, minimum gözenekliliğe ve olağanüstü saflığa sahip, olağanüstü derecede yoğun ve tekdüze bir silisyum karbür malzeme üretir.

Temel malzeme özellikleri şunları içerir:

• Ultra yüksek saflıkta SiC bileşimi
• Yüksek yoğunluk ve düşük gözeneklilik
• Mükemmel kimyasal inertlik
• Olağanüstü termal stabilite
• Üstün korozyon direnci
• Son derece düşük parçacık üretimi

Bu özellikler, proses kirliliğinin cihaz performansını ve üretim verimini doğrudan etkileyebildiği yarı iletken üretim ortamları için kritik öneme sahiptir.

Plazma Ortamlarında Olağanüstü Performans

Modern aşındırma işlemleri, zamanla geleneksel malzemelere saldırabilen yüksek derecede reaktif plazma türleri üretir. Plazmaya maruz kalan bileşenler, boyutsal doğruluğu ve yüzey bütünlüğünü korurken sürekli bombardımana dayanmalıdır.

CVD SiCFin aşağıdakilere olağanüstü direnç sağlar:

Flor bazlı plazma kimyası

Klor bazlı aşındırma ortamları

İyon bombardımanı

Kimyasal korozyon

Termal bisiklet

Yoğun mikro yapısı malzeme bozulmasını önemli ölçüde azaltır ve uzun üretim süreçleri boyunca stabil proses koşullarının korunmasına yardımcı olur.

Bu, malzemeyi özellikle proses tekrarlanabilirliğinin ve ekipmanın çalışma süresinin kritik olduğu gelişmiş entegre devre üretiminde değerli kılmaktadır.

Ultra Yüksek Sıcaklık Uygulamaları için Tasarlandı

CVD SiC Fin, plazma direncine ek olarak aşırı termal koşullar altında olağanüstü iyi performans gösterir.

Silisyum karbür, birçok geleneksel mühendislik malzemesine meydan okuyacak sıcaklıklarda mekanik mukavemeti ve boyutsal stabiliteyi koruma yeteneğiyle bilinir.

Avantajları şunları içerir:

• Mükemmel termal şok direnci
• Düşük termal genleşme
• Yüksek sıcaklıkta mekanik stabilite
• Termal deformasyona karşı direnç
• Zorlu ortamlarda uzun vadeli güvenilirlik

Semicorex, CVD SiC bileşenlerini aşağıdakiler de dahil olmak üzere çok çeşitli geometrilerde üretmek için gereken teknik uzmanlığa sahiptir:

• Yüzgeçler
• Yüzükler
  
• Kalkanlar
• Odak bileşenleri
• Gaz dağıtım elemanları
• Oda gömlekleri
• Özel plazmaya bakan parçalar

Yarı İletken Üretimindeki Uygulamalar

CVD SiC Fin bileşenleri, özellikle agresif proses koşullarına maruz kalan alanlarda, yarı iletken üretim ekipmanlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Tipik uygulamalar şunları içerir:

Plazma aşındırma sistemleri

Kuru aşındırma odaları

Yarı iletken biriktirme ekipmanı

Gelişmiş mantıksal cihaz üretimi

Bellek cihazı üretimi

Güç yarı iletken işleme

Bileşik yarı iletken imalatı