Yüksek saflıkta silikon karbür (sic) tozunun sentez yöntemi

Şu anda, sentez yöntemleriyüksek saflıkta sic tozuBüyüyen tek kristaller için esas olarak şunları içerir: CVD yöntemi ve gelişmiş kendi kendini gösteren sentez yöntemi (yüksek sıcaklık sentez yöntemi veya yanma yöntemi olarak da bilinir). Bunlar arasında, SIC tozunu sentezlemek için SI CVD yöntemi genellikle silan ve silikon tetraklorür, vb. İçerir ve C kaynağı genellikle karbon tetraklorür, metan, etilen, asetilen ve propan, vb.

Önceki kendini gösteren sentez yöntemi, reaktan boşluğu harici bir ısı kaynağıyla ateşleyerek ve daha sonra sonraki kimyasal reaksiyon işleminin kendiliğinden devam etmesini sağlamak için maddenin kendisinin kimyasal reaksiyon ısısını kullanılarak malzemeleri sentezleme yöntemidir. Bu yöntemin çoğu hammadde olarak silikon tozu ve karbon siyahı kullanır ve diğer aktivatörleri SIC tozu oluşturmak için 1000-1150 ℃ 'de önemli bir hızda doğrudan reaksiyona girmeye ekler. Aktivatörlerin tanıtımı kaçınılmaz olarak sentezlenen ürünlerin saflığını ve kalitesini etkileyecektir. Bu nedenle, birçok araştırmacı bu temelde geliştirilmiş bir kendini tanıtma sentez yöntemi önermiştir. İyileştirme esas olarak aktivatörlerin sokulmasını önlemek ve sentez reaksiyonunun sentez sıcaklığını artırarak ve sürekli olarak ısıtma sağlanarak sürekli ve etkili bir şekilde gerçekleştirilmesini sağlamaktır.

Silikon karbür sentez reaksiyonunun sıcaklığı arttıkça, sentezlenen tozun rengi yavaş yavaş kararır. Olası neden, çok yüksek sıcaklığın SIC'nin ayrışmasına neden olacağı ve rengin koyulaşmasına toz içinde çok fazla Si'nin dalgalanmasından kaynaklanabileceğidir.

Ek olarak, sentez sıcaklığı 1920 ℃ olduğunda, sentezlenen β-sic kristal formu nispeten iyidir. Bununla birlikte, sentez sıcaklığı 2000'den büyük olduğunda, sentezlenen üründeki C oranı önemli ölçüde artar, bu da sentezlenen ürünün fiziksel fazının sentez sıcaklığından etkilendiğini gösterir.

Deney ayrıca sentez sıcaklığı belirli bir sıcaklık aralığında arttığında, sentezlenen SIC tozunun partikül boyutunun da arttığını bulmuştur. Bununla birlikte, sentez sıcaklığı artmaya devam ettiğinde ve belirli bir sıcaklık aralığını aştığında, sentezlenen SIC tozunun parçacık boyutu kademeli olarak azalacaktır. Sentez sıcaklığı 2000'den yüksek olduğunda, sentezlenen SIC tozunun parçacık boyutu sabit bir değere eğilimli olacaktır.

Semicorex TeklifleriYüksek kaliteli silikon karbür tozuyarı iletken endüstrisinde. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

İletişim Telefonu # +86-13567891907

E -posta: sales@semicorex.com