- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
Yarı İletken CVD SiC Proses Teknolojisi
Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) SiC işlem teknolojisi, yüksek performanslı güç elektroniği üretimi için gereklidir ve alt tabaka levhaları üzerindeki yüksek saflıkta silisyum karbür katmanlarının hassas epitaksiyel büyümesini sağlar. SiC'nin geniş bant aralığı ve üstün termal iletkenliğinden yararla......
Devamını oku
Yarı İletken CVD SiC Proses Teknolojisinin Ayrıntılı Açıklaması (Bölüm II)
Kimyasal buhar biriktirme (CVD) prosesinde kullanılan gazlar esas olarak reaktan gazları ve taşıyıcı gazları içerir. Reaktan gazlar biriken malzeme için atomlar veya moleküller sağlarken, taşıyıcı gazlar reaksiyon ortamını seyreltmek ve kontrol etmek için kullanılır. Aşağıda yaygın olarak kullanılan......
Devamını oku
Uygulamanız için En Uygun Grafit Ürünleri Nasıl Seçilir?
Farklı uygulama senaryolarının grafit ürünler için değişen performans gereksinimleri vardır ve bu da hassas malzeme seçimini grafit ürünlerin uygulamasında temel bir adım haline getirir. Uygulama senaryolarına uygun performansa sahip grafit bileşenlerin seçilmesi, yalnızca bunların hizmet ömrünü etk......
Devamını oku
Yarı İletken CVD SiC Proses Teknolojisinin Ayrıntılı Açıklaması (Bölüm I)
Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) silisyum karbür (Sic) işlem teknolojisini tartışmadan önce, "kimyasal buhar biriktirme" ile ilgili bazı temel bilgileri gözden geçirelim. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), çeşitli kaplamaların hazırlanmasında yaygın olarak kullanılan bir tekniktir. Düzgün bir ince f......
Devamını oku
Termal Alandaki Sıcaklık Gradyanı Nedir?
Tek kristal büyütme termal alanı, tek kristal büyütme işlemi sırasında yüksek sıcaklıklı fırın içindeki sıcaklığın uzaysal dağılımıdır ve tek kristalin kalitesini, büyüme hızını ve kristal oluşum hızını doğrudan etkiler. Termal alan, kararlı durum ve geçici tiplere ayrılabilir. Kararlı durum termal ......
Devamını oku
