Silisyum Karbür (SiC) epitaksi, özellikle yüksek güçlü elektronik cihazların geliştirilmesi için yarı iletkenler alanında önemli bir teknolojidir. SiC, geniş bant aralığına sahip bileşik bir yarı iletkendir ve bu da onu yüksek sıcaklık ve yüksek voltajlı çalışma gerektiren uygulamalar için ideal kıl......
Devamını okuEpitaksiyel gofret işlemi, yarı iletken üretiminde kullanılan kritik bir tekniktir. Substrat ile aynı kristal yapıya ve oryantasyona sahip olan bir substratın üzerinde ince bir kristal malzeme tabakasının büyümesini içerir. Bu süreç, iki malzeme arasında yüksek kaliteli bir arayüz oluşturarak gelişm......
Devamını okuEpitaksiyel gofretler elektronik endüstrisinde onlarca yıldır kullanılmaktadır, ancak önemleri yalnızca teknoloji ilerledikçe artmıştır. Bu yazıda, epitaksiyel gofretlerin ne olduğunu ve neden modern elektroniğin bu kadar önemli bir bileşeni olduklarını keşfedeceğiz.
Devamını okuYarı iletkenler, iletkenler ve yalıtkanlar arasındaki elektriksel özellikleri yönlendiren, atom çekirdeğinin en dış katmanındaki elektronların eşit kayıp ve kazanç olasılığına sahip olan ve kolayca PN bağlantıları haline getirilen malzemelerdir. "Silikon (Si)", "germanyum (Ge)" ve diğer malzemeler g......
Devamını oku