Galyum nitrür (GaN), silisyum karbür (SiC) ve alüminyum nitrür (AlN) dahil olmak üzere üçüncü nesil geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler mükemmel elektriksel, termal ve akustik-optik özellikler sergiler. Bu malzemeler, birinci ve ikinci nesil yarı iletken malzemelerin sınırlamalarını ele alar......
Devamını oku