- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Haberler
Yüksek Dirençli Silikon Gofretlere Kısa Giriş
Yüksek dirençli silikon levhalar (HR-Si), adından da anlaşılacağı gibi, son derece yüksek dirençli, monokristalin bir silikon malzemedir. Gelişmiş yarı iletken üretim alanında, yüksek frekans kaybı, üst düzey çip tasarımında büyük bir zorluk haline geldi. Ultra yüksek direnci sayesinde, yüksek diren......
Devamını oku
Odak Halkası Neden Dağlama Ekipmanı İçin Vazgeçilmezdir？
Telafi halkası veya sınırlama halkası olarak da adlandırılan odak halkası, aşındırma ekipmanının, özellikle de plazma kuru aşındırma ekipmanının vazgeçilmez bir bileşenidir. Modern yarı iletken üretiminde nano ölçekli hassas gravür işlemleri bu olmadan gerçekleştirilemezdi. Odaklama halkasının kulla......
Devamını oku
Tavlama Süreci Hangi Rolleri Oynar?
Tavlama işlemi, ısıtma ve soğutma profillerini hassas bir şekilde düzenleyerek katkı atomlarını etkinleştirebilir, kafes hasarını onarabilir, iç gerilimi azaltabilir ve levhaların elektriksel güvenilirliğini artırabilir. Bu kritik performans iyileştirmeleri, sonraki levha işleme için sağlam bir teme......
Devamını oku
Seramik Vakum Aynaları
Seramik vakumlu aynalar, yarı iletken levha üretiminde yarı iletken levhaları sıkıştırmak ve taşımak için kullanılan aletlerdir. Yüksek düzlük ve paralellik, yoğun ve tekdüze yapı, yüksek mukavemet, iyi hava geçirgenliği, tekdüze adsorpsiyon kuvveti ve kesme kolaylığı özelliklerine sahiptirler. Yarı......
Devamını oku
SiC epitaksiyel fırın (sıcak duvarlı CVD reaktörü) için termal alan tasarımının optimizasyonu
Temel amaç, levha yüzey sıcaklığı homojenliğini (≤±0,5–5°C) ve sıcaklık/akış alanı stabilitesini elde etmek, böylece epitaksiyel katman kalınlığı homojenliğini arttırmaktır (<3%), doping uniformity (<8%), reducing defect density, and increasing growth rate (>60 mikron/saat).
Devamını oku
Karbon/karbon kompozit malzemelerin temel teknolojileri
C/C kompozitleri çok sayıda mükemmel özelliğe sahiptir ve şu anda inert atmosferlerde 2600°C'nin üzerindeki yüksek sıcaklıklarda çalışabilen tek kompozit malzemedir; bu da onları havacılık, silah, nükleer enerji, metalurji ve kimya endüstrilerinde yaygın olarak uygulanabilir kılmaktadır.
Devamını oku
