Sitemap

Semicorex, 8 İnçlik SiC Epitaksiyel Gofreti Duyurdu | 3C-SiC Gofret Üretimine Başlayın | Konsol kürekleri nedir? | SiC kaplı grafit tutucular nelerdir? | C/C kompoziti nedir? | 850V Yüksek Güçlü GaN HEMT Epitaksiyel Ürünleri Piyasaya Sürüldü | İzostatik grafit nedir? | PVT Yöntemiyle Yüksek Kaliteli SiC Kristal Büyümesi için Gözenekli Grafit | Grafit teknenin temel teknolojisinin tanıtılması | Grafitleştirme nedir？ | Galyum Oksit(Ga2O3) Tanıtımı | Galyum Oksit Gofret Uygulamaları | Galyum Nitrür (GaN) Uygulamalarının Avantajları ve Dezavantajları | Silisyum Karbür (SiC) Nedir? | Silisyum karbür substrat üretiminin zorlukları nelerdir? | SiC kaplı grafit tutucu nedir? | Termal alan yalıtım malzemesi | İlk 6 inç Galyum Oksit substrat sanayileştirme şirketi | Gözenekli grafit malzemelerin SiC kristal büyümesindeki önemi | Yarı İletken Üretiminde Silikon Epitaksiyel Katmanlar ve Substratlar | CVD Operasyonlarında Plazma Prosesleri | SiC Kristal Büyümesi için Gözenekli Grafit | SiC Tekne Nedir ve Çeşitli Üretim Süreçleri Nelerdir? | TaC Kaplamalı Grafit Bileşenlerin Uygulama ve Geliştirme Zorlukları | Silisyum Karbür (SiC) Kristal Büyütme Fırını | Silisyum Karbürün Kısa Tarihi ve Silisyum Karbür Kaplamaların Uygulamaları | Optik Fiber Endüstrisinde Silisyum Karbür Seramiklerin Avantajları | SiC Büyümesi için Çekirdek Malzeme: Tantal Karbür Kaplama | Kuru Aşındırma ve Islak Aşındırmanın Artıları ve Eksileri Nelerdir? | Epitaksiyel ve Dağınık Gofretler Arasındaki Fark Nedir? | Galyum Nitrür Epitaksiyel Gofretler: İmalat Sürecine Giriş | SiC Tekneler ve Kuvars Tekneler Karşılaştırması: Yarı İletken Üretiminde Güncel Kullanım ve Gelecekteki Eğilimler | Kimyasal Buhar Birikiminin (CVD) Anlaşılması: Kapsamlı Bir Genel Bakış | Yüksek Saflıkta CVD Kalın SiC: Malzeme Büyümesine Yönelik Süreç İçgörüleri | Gofret İşlemede Elektrostatik Ayna (ESC) Teknolojisinin Gizemini Çözüyor | Silisyum Karbür Seramikler ve Çeşitli İmalat Süreçleri | Yüksek Saflıkta Kuvars: Yarı İletken Endüstrisinin Vazgeçilmez Bir Malzemesi | Silisyum Karbür Seramikler için 9 Sinterleme Tekniğinin İncelenmesi | Silisyum Karbür Seramikler için Özel Hazırlama Teknikleri | SiC Seramik Hazırlama için Neden Basınçsız Sinterlemeyi Seçmelisiniz? | Yarı İletken ve Fotovoltaik Sektörlerde SiC Seramiklerin Uygulamalarının ve Gelişme Beklentilerinin Analizi | Silisyum Karbür Seramik Nasıl Uygulanır ve Aşınma ve Yüksek Sıcaklık Dayanımında Geleceği Nedir? | Reaksiyonla Sinterlenmiş SiC Seramikleri ve Özellikleri Üzerine Bir Araştırma | MOCVD Proseslerinde SiC Kaplı Süseptörler | Özel Grafit için Semicorex teknolojisi | Yarı İletken Alanında SiC ve TaC Kaplamaların Uygulamaları Nelerdir? | PECVD Süreci | Yüksek Saflıkta Silisyum Karbür Tozunun Sentezlenmesi | Hiyerarşik Gözenekli Karbon Malzemeler: Sentez ve Giriş | Sahte Gofret Nedir?

SiC epitaksi nedir? | Epitaksiyel gofret işlemi nedir? | Epitaksiyel gofretler ne için kullanılır? | MOCVD sistemi nedir? | Silisyum karbürün avantajı nedir? | yarı iletken nedir? | Yarı iletkenler nasıl sınıflandırılır | Chip sıkıntısı sorun olmaya devam ediyor | Japonya kısa süre önce 23 tür yarı iletken imalat ekipmanının ihracatını kısıtladı | SiC gofret epitaksisi için CVD işlemi | Çin, en büyük yarı iletken ekipman pazarı olmaya devam etti | CVD fırını tartışılıyor | Epitaksiyel Katmanlar İçin Uygulama Senaryoları | TSMC: Gelecek yıl 2nm proses riski deneme üretimi | Yarı İletken projelerine sağlanan fonlar | MOCVD anahtar ekipmandır | SiC kaplı grafit suseptör pazarında önemli büyüme | SiC epitaksiyel süreci nedir? | Neden SiC kaplı grafit duyarlıları seçmelisiniz? | P tipi SiC gofret nedir? | Farklı SiC seramik türleri | Kore bellek yongaları düştü | SOI nedir? | Cantilever Paddle'ı bilmek | SiC için CVD nedir? | Tayvanlı PSMC, Japonya'da 300mm Gofret Fabrikası İnşa Edecek | Yarı İletken Isıtma Elemanları Hakkında | GaN Endüstri Uygulamaları | Fotovoltaik Endüstrisinin Gelişimine Genel Bakış | Yarı iletkende CVD işlemi nedir? | TaC Kaplama | Sıvı faz epitaksi nedir? | Neden sıvı faz epitaksi yöntemini seçmelisiniz? | SiC kristallerindeki kusurlar hakkında - Micropipe | SiC kristallerinde dislokasyon | Kuru Aşındırma ve Islak Aşındırma | SiC Epitaksi | İzostatik grafit nedir? | İzostatik grafit üretim süreci nedir? | Difüzyon fırını nedir? | Grafit Çubuklar Nasıl Üretilir? | Gözenekli grafit nedir? | Yarı iletken endüstrisinde tantal karbür kaplamalar | LPE Ekipmanları | AlN Kristal Büyümesi için TaC Kaplama Potası | AlN Kristal Büyüme Yöntemleri | CVD yöntemiyle TaC kaplama | Sıcaklığın CVD-SiC Kaplamalar Üzerindeki Etkisi | Silisyum Karbür Isıtma Elemanları | Kuvars nedir? | Yarı iletken uygulamalarda kuvars ürünleri | Fiziksel Buhar Aktarımına (PVT) Giriş | Grafit kalıplamanın 3 yöntemi | Yarı iletken silikon tek kristallerin termal alanında kaplama | GaN ve SiC | Silisyum karbürü öğütebilir misiniz? | Silisyum Karbür Endüstrisi | Grafit üzerinde TaC kaplama nedir? | Farklı yapılara sahip SiC kristalleri arasındaki farklar | Yüzey Kesme ve Taşlama Prosesi | TaC Kaplamalı Grafit Bileşenlerin Uygulamaları | MOCVD'yi bilmek | Süblimasyon SiC Büyümesinde Doping Kontrolü | EV endüstrisinde SiC'nin avantajları | Silisyum Karbür (SiC) Güç Cihazı Pazarının Yükselişi ve Görünümü | GaN'yi bilmek | Yarı İletken Cihazlarda Epitaksiyel Katmanların Önemli Rolü | Epitaksiyel Katmanlar: Gelişmiş Yarı İletken Cihazların Temeli | SiC tozu hazırlama yöntemi | Silisyum Karbür İyon İmplantasyonu ve Tavlama Sürecine Giriş | Silisyum Karbür Uygulamaları | Silisyum Karbür (SiC) Yüzeylerin Temel Parametreleri | SiC substrat işlemede ana adımlar | Substrat ve Epitaksi: Yarı İletken Üretiminde Anahtar Roller | Üçüncü Nesil Yarı İletkenlere Giriş: GaN ve İlgili Epitaksiyel Teknolojiler | GaN hazırlamadaki zorluklar | Silisyum Karbür Gofret Epitaksi Teknolojisi | Silisyum Karbür Güç Cihazlarına Giriş | Yarı İletken Endüstrisinde Kuru Aşındırma Teknolojisini Anlamak | Silisyum Karbür Substrat | SiC substratlarının hazırlanmasındaki zorluk | Yarı İletken Cihaz İmalat Sürecinin Tamamını Anlamak | Yarı iletken üretiminde kuvarsın çeşitli uygulamaları | SiC ve GaN Güç Cihazlarında İyon İmplantasyon Teknolojisinin Zorlukları | İyon İmplantasyonu ve Difüzyon Süreci | CMP Süreci Nedir? | CMP Süreci Nasıl Yapılır | Gllium Nitrür (GaN) Epitaksi Neden GaN substratında Büyümüyor? | Oksidasyon Süreci | Kusursuz Epitaksiyel Büyüme ve Uyumsuz Çıkıklar | 4. Nesil Yarı İletkenler Galyum Oksit/β-Ga2O3 | SiC ve GaN'nin elektrikli araçlarda uygulanması | Yarı İletken Endüstrisinde SiC Substratların ve Kristal Büyümesinin Kritik Rolü | Silisyum Karbür Substrat Çekirdek Proses Akışı | SiC Kesim | Silikon Gofret | Substrat ve Epitaksi | Monokristalin silikon ve polikristalin silikon | 3C-SiC'nin Heteroepitaksisi: Genel Bir Bakış | İnce film büyüme süreci | Grafitleşme derecesi nedir? | SiC Seramikleri: Yarı İletken Üretiminde Yüksek Hassasiyetli Bileşenler için Vazgeçilmez Malzeme | GaN Tek Kristal | GaN Kristal Büyüme Yöntemi | SiC yarı iletkende Grafitin Saflaştırma Teknolojisi | Silisyum Karbür Kristal Büyütme Fırınlarındaki Teknik Zorluklar | Galyum Nitrür (GaN) Substratının Hangi Uygulamaları? | Karbon Bazlı Malzeme Yüzeylerinde TaC Kaplamaların Araştırma İlerlemesi | İzostatik Grafit Üretim Teknolojisi | Termal Alan Nedir? | GaN ve SiC: Birlikte Var Olmak mı, Yer Değiştirme mi? | Elektrostatik Ayna (ESC) Nedir? | Silisyum ve Silisyum Karbür Gofretler Arasındaki Aşındırma Farklarını Anlamak | Silisyum Nitrür Nedir? | Yarı İletken İşlemede Oksidasyon | Monokristal Silikon İmalatı | Infineon Dünyanın İlk 300mm Güçlü GaN Gofretini Tanıttı | Kristal Büyütme Fırını Sistemi Nedir? | n-Tipi 4H-SiC Kristallerinde Elektriksel Direnç Dağılımı Üzerine Çalışma | Yarı İletken Üretiminde Neden Ultrasonik Temizleme Kullanılmalıdır? | Termal Tavlama Nedir? | İlk Büyüme Aşamasında Sıcaklık Değişimi Kontrolü Yoluyla Yüksek Kaliteli SiC Kristal Büyümesinin Sağlanması | Çip Üretimi: İnce Film Prosesleri | Seramik Elektrostatik Aynalar Aslında Nasıl Üretiliyor? | Modern Yarı İletken Üretiminde Tavlama Prosesleri | Yarı İletken Endüstrisinde Yüksek Isı İletkenliğine Sahip SiC Seramiklerine Neden Artan Talep Var? | Silikon Malzemenin Tanıtımı | SiC Tek Kristal Substrat İşleme | Silikon Gofretlerdeki Kristal Yönelimi ve Kusurlar | Silikon Gofretlerin Yüzey Parlatılması | GaN'ın Ölümcül Kusuru | Silikon levha yüzeyinin son cilalanması | Silisyum Karbür Nasıl Üretilir? | Wolfspeed Alman Yarı İletken Tesisi İnşaat Planlarını Duraklattı | Elektrostatik Chuck'ın (ESC) yapısı | Düşük Sıcaklık Plazma Aşındırma Nedir? | Homoepitaksi ve Heteroepitaksi Basitçe Açıklandı | Karbon fiber kompozit uygulaması | Silikon Yarı İletken Çiplerin Gelecekteki Beklentilerini Keşfetmek | SK Siltron, ABD Enerji Bakanlığı'ndan Aldığı 544 Milyon Dolarlık Krediyle SiC Gofret Üretimini Genişletiyor | GaN Uygulaması | Sahte Gofret Nedir? | Silisyum Karbür Gofret İşlemede Kusur Tespiti | Yarı iletken doping işlemi | Yapay Zeka ve Fiziğin Birleşmesi: Nobel Ödülünün Arkasındaki CVD Teknolojik Yeniliği | Aşındırma İşlemi Parametreleri | Grafitleşme ve Karbonizasyon Arasındaki Fark Nedir? | Yaklaşık 840 Milyon Dolar: Onsemi bir SiC Şirketini Satın Aldı | Yarı iletkendeki birim: Angstrom | Talaş Üretiminde SiGe: Profesyonel Bir Haber Raporu | SiGe ve Si Seçici Aşındırma Teknolojisi | PVT yöntemiyle AlN kristal büyümesi | Tavlama | Yarı İletken İyon İmplantasyon Teknolojisi Nedir? | SiC Üretiminde Hangi Zorluklar Var? | Gofret üretimi | Czochralski yöntemi | 12 İnç Silisyum Karbür Yüzeylerin Uygulama Beklentileri | Silisyum Karbür Uygulamaları