TaC kaplı Yarım Ay

Semicorex TaC kaplı Halfmoon, SiC epitaksi için gereken yüksek sıcaklıklarda (2200°C'ye kadar) yapısal bütünlüğünü ve kimyasal inertliğini korur. Bu, tutarlı bir termal performans sağlar ve proses gazları veya kaynak malzemelerle istenmeyen reaksiyonları önler. Ayrıca, termal iletkenliği ve emisyonu optimize edecek şekilde tasarlanabilir ve böylece sensör yüzeyi boyunca eşit ısı dağılımı sağlanır. Bu, daha homojen levha sıcaklık profillerine ve epitaksiyel katman kalınlığında ve katkı konsantrasyonunda geliştirilmiş tekdüzeliğe yol açar. Üstelik TaC kaplı Halfmoon'un termal genleşme katsayısı, SiC'ninkiyle yakından eşleşecek şekilde özelleştirilebilir ve ısıtma ve soğutma döngüleri sırasında termal stresi en aza indirir. Bu, levha eğilmesini ve kusur oluşumu riskini azaltarak daha yüksek cihaz verimine katkıda bulunur.

TaC kaplı Halfmoon, kaplanmamış/SiC kaplı alternatiflere kıyasla grafit tutucuların hizmet ömrünü önemli ölçüde uzatır. SiC birikmesine ve termal bozulmaya karşı artırılmış direnç, temizleme döngülerinin ve değiştirme sıklığını azaltarak genel üretim maliyetlerini düşürür.

SiC Cihaz Performansının Faydaları:

Gelişmiş Cihaz Güvenilirliği ve Performansı:TaC kaplı Halfmoon üzerinde büyütülen epitaksiyel katmanlardaki gelişmiş tekdüzelik ve azaltılmış kusur yoğunluğu, daha yüksek cihaz verimine ve arıza voltajı, açık direnç ve anahtarlama hızı açısından gelişmiş performansa dönüşür.

Yüksek Hacimli Üretim için Uygun Maliyetli Çözüm:Uzatılmış kullanım ömrü, azaltılmış bakım gereksinimleri ve iyileştirilmiş plaka kalitesi, SiC güç cihazları için daha uygun maliyetli bir üretim sürecine katkıda bulunur.

Semicorex TaC kaplı Halfmoon, malzeme uyumluluğu, termal yönetim ve proses kirliliği ile ilgili temel zorlukları ele alarak SiC epitaksinin geliştirilmesinde kritik bir rol oynar. Bu, daha yüksek kaliteli SiC levhaların üretilmesine olanak tanıyarak elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve diğer zorlu endüstrilerdeki uygulamalar için daha verimli ve güvenilir güç elektroniği cihazlarının üretilmesine olanak sağlar.