Fabrikamızdan ICP Etching Carrier satın alacağınızdan emin olabilirsiniz ve size en iyi satış sonrası hizmeti ve zamanında teslimatı sunacağız. Semicorex gofret duyarlı, kimyasal buhar biriktirme (CVD) işlemi kullanılarak silisyum karbür kaplı grafitten yapılmıştır. Bu malzeme, yüksek sıcaklık ve kimyasal direnç, mükemmel aşınma direnci, yüksek termal iletkenlik ve yüksek mukavemet ve sertlik gibi benzersiz özelliklere sahiptir. Bu özellikler, onu İndüktif Eşleşmiş Plazma (ICP) Dağlama sistemleri dahil olmak üzere çeşitli yüksek sıcaklık uygulamaları için çekici bir malzeme haline getirir.
Özel servis sağlıyoruz, daha uzun ömürlü bileşenlerle yenilik yapmanıza, döngü sürelerini azaltmanıza ve verimi artırmanıza yardımcı oluyoruz.
Semicorex'in SiC-Kaplamalı ICP Bileşeni, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıkta gofret taşıma işlemleri için özel olarak tasarlanmıştır. İnce SiC kristal kaplamalı taşıyıcılarımız, üstün ısı direnci, eşit termal homojenlik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlar.
Devamını okuTalep GönderEpitaksi ve MOCVD gibi gofret taşıma işlemleri söz konusu olduğunda, Semicorex'in Plazma Aşındırma Odaları için Yüksek Sıcaklıkta SiC Kaplaması en iyi seçimdir. Taşıyıcılarımız, ince SiC kristal kaplamamız sayesinde üstün ısı direnci, eşit termal homojenlik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlar.
Devamını okuTalep GönderSemicorex'in ICP Plazma Dağlama Tepsisi, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıkta gofret taşıma işlemleri için özel olarak tasarlanmıştır. 1600°C'ye kadar kararlı, yüksek sıcaklıkta oksidasyon direncine sahip taşıyıcılarımız, eşit termal profiller, laminer gaz akış modelleri sağlar ve kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önler.
Devamını okuTalep GönderSemicorex'in ICP Plazma Dağlama Sistemi için SiC Kaplamalı taşıyıcısı, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıkta gofret işleme süreçleri için güvenilir ve uygun maliyetli bir çözümdür. Taşıyıcılarımız, üstün ısı direnci, eşit termal homojenlik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlayan ince bir SiC kristal kaplamaya sahiptir.
Devamını okuTalep GönderSemicorex'in Endüktif Eşleşmiş Plazma (ICP) için silisyum karbür kaplı suseptörü, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıkta gofret taşıma işlemleri için özel olarak tasarlanmıştır. 1600°C'ye kadar kararlı, yüksek sıcaklıkta oksidasyon direncine sahip taşıyıcılarımız, eşit termal profiller, laminer gaz akış modelleri sağlar ve kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önler.
Devamını okuTalep GönderSemicorex'in ICP aşındırma gofret tutucusu, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıkta gofret işleme süreçleri için mükemmel bir çözümdür. 1600°C'ye kadar kararlı, yüksek sıcaklıkta oksidasyon direncine sahip taşıyıcılarımız, eşit termal profiller, laminer gaz akış modelleri sağlar ve kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önler.
Devamını okuTalep Gönder