SiC Kaplamalı ICP Bileşeni

Semicorex'in SiC Kaplamalı ICP Bileşeni, epitaksi ve MOCVD gibi yüksek sıcaklıktaki levha işleme süreçleri için özel olarak tasarlanmıştır. İnce SiC kristal kaplamalı taşıyıcılarımız üstün ısı direnci, hatta termal homojenlik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlar.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Semicorex'in SiC Kaplamalı ICP Bileşeni, yüksek sıcaklık ve kimyasal direnç gerektiren levha işleme süreçleri için en iyi seçimdir. Taşıyıcılarımız, ince SiC kristalimiz sayesinde eşit termal profiller ve laminer gaz akış modelleri sağlar ve kirlenmeyi veya yabancı maddelerin yayılmasını önler. İnce SiC kristal kaplamalı taşıyıcılarımız üstün ısı direnci, hatta termal homojenlik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlar.
Semicorex olarak müşterilerimize yüksek kaliteli, uygun maliyetli ürünler sunmaya odaklanıyoruz. SiC Kaplamalı ICP Bileşenimiz fiyat avantajına sahip olup birçok Avrupa ve Amerika pazarına ihraç edilmektedir. Tutarlı kalitede ürünler ve olağanüstü müşteri hizmetleri sunarak uzun vadeli ortağınız olmayı hedefliyoruz.
SiC Kaplamalı ICP Bileşenimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.

SiC Kaplamalı ICP Bileşeninin Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J kg-1 K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300