Semicorex grafit merkez plakası veya MOCVD tutucu, yonga levha üzerindeki epitaksiyel tabakanın büyütülmesi işleminde kullanılan, kimyasal buhar biriktirme (CVD) yöntemiyle kaplanmış yüksek saflıkta silikon karbürdür. SiC kaplı suseptör, MOCVD'nin önemli bir parçasıdır, bu nedenle üstün ısı ve kimyasal direncin yanı sıra yüksek termal tekdüzelik gerektirir. Bu zorlu epitaksi ekipmanı uygulamaları için özel olarak tasarladık.
Semicorex 6 "gofret tutucular, SIC epitaksiyal büyümesinin titiz talepleri için tasarlanmış yüksek performanslı taşıyıcıdır. Yüksek sıcaklık, yüksek verimli SIC süreçlerinde eşsiz malzeme saflığı, hassas mühendislik ve kanıtlanmış güvenilirlik için Semicorex'i seçin.*
Devamını okuTalep GönderSemicorex MOCVD Gofret Tutucu, üstün termal yönetim, kimyasal direnç ve boyutsal stabilite sunan SiC epitaksi büyümesi için vazgeçilmez bir bileşendir. Semicorex'in levha tutucusunu seçerek MOCVD proseslerinizin performansını artırırsınız, bu da yarı iletken üretim operasyonlarınızda daha kaliteli ürünler ve daha fazla verimlilik sağlar. *
Devamını okuTalep GönderSemicorex tarafından geliştirilen Semicorex MOCVD 3x2'' Susceptor, özellikle çağdaş yarı iletken üretim süreçlerinin karmaşık taleplerini karşılamak üzere tasarlanmış, inovasyon ve mühendislik mükemmelliğinin zirvesini temsil ediyor.**
Devamını okuTalep GönderSemicorex SiC Kaplama Halkası, yarı iletken epitaksi işlemlerinin zorlu ortamında kritik bir bileşendir. Rekabetçi fiyatlarla en kaliteli ürünleri sunma konusundaki kararlı kararlılığımızla, Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmaya hazırız.*
Devamını okuTalep GönderSemicorex'in kalite ve yeniliğe olan bağlılığı SiC MOCVD Kapak Segmentinde açıkça görülmektedir. Güvenilir, verimli ve yüksek kaliteli SiC epitaksiyi mümkün kılarak, yeni nesil yarı iletken cihazların yeteneklerinin geliştirilmesinde hayati bir rol oynar.**
Devamını okuTalep GönderSemicorex SiC MOCVD İç Segment, silisyum karbür (SiC) epitaksiyel levhaların üretiminde kullanılan metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sistemleri için temel bir sarf malzemesidir. Optimum proses performansı ve yüksek kaliteli SiC epikatmanları garanti ederek, SiC epitaksinin zorlu koşullarına dayanacak şekilde hassas bir şekilde tasarlanmıştır.**
Devamını okuTalep Gönder