SiC Kaplamalı Grafit Gofret Süseptörleri

Semicorex SiC kaplı grafitgofret sensörleriDöner MOCVD sistemlerinde levhaları desteklemek ve ısıtmak için yaygın olarak kullanılan disk şeklindeki bileşenlerdir. Reaksiyon odalarında eşit gaz dağılımını ve tutarlı ısı dağılımını kolaylaştırarak yüksek kaliteli ve yüksek verimli epitaksiyel büyüme için en uygun proses ortamını sağlayabilirler. Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucular, safir substratlar üzerindeki GaN epitaksi gibi mükemmel ince film bütünlüğü gerektiren uygulamalar için uygundur.

Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucuların özellikleri

Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucular, temel malzemesi olarak yüksek saflıkta grafit kullanır ve kimyasal buhar biriktirme yoluyla tabanları üzerinde düzgün ve yoğun bir silisyum karbür kaplama biriktirir. Üstün hammaddelerden ve ileri üretim teknolojisinden yararlanan Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucular aşağıdaki olağanüstü özelliklere sahiptir.

1.Olağanüstü termal stabilite

MOCVD ekipmanı tipik olarak 1000°C'nin üzerindeki sıcaklıklarda çalışır, bu da dahili bileşenlerin yüksek sıcaklık performansına ilişkin sıkı gereksinimler getirir. Semicorex SiC kaplı grafit plaka tutucular bu zorlu çalışma koşullarına iyi uyum sağlayabilir ve uzun süreli yüksek sıcaklıktaki servis sırasında bile istikrarlı bir şekilde çalışabilir. Kaplama bozulması veya ayrılması olmayan Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucular, grafit tabanından gaz ve yabancı madde salınımı riskini büyük ölçüde ortadan kaldırabilir.

2.Güçlü korozyon direnci

Semicorex SiC kaplı grafit levha tutucular, karmaşık yüksek sıcaklık ve güçlü korozyon koşulları sırasında üstün oksidasyon direncine ve korozyon direncine sahiptir. OnlarınCVD SiC kaplamabazlarının NH3 ve H2 gibi proses gazları tarafından aşınmasını önemli ölçüde önleyebilir, karbon kirliliği salınımını en aza indirebilir ve böylece epitaksiyel filmlerin saflığını geliştirebilir.

3. Mükemmel termal iletkenlik

Semicorex SiC kaplı grafit plaka tutucular, grafit tabanları ve CVD SiC kaplamaları mükemmel termal iletkenliğe sahip olduğundan, epitaksiyel büyüme süreçleri sırasında güvenilir termal yönetim kapasitesine sahiptir. İnce film biriktirme işlemleri sırasında alt tabaka levhaları arasında eşit ısı dağılımı sağlayarak yüksek kaliteli epitaksiyel katmanlar elde edilmesini sağlayabilirler.