Ev > Ürünler > Silisyum Karbür Kaplamalı > MOCVD Duyarlısı > Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlısı
Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlısı

Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlısı

Semicorex, Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Susceptor'ın lider tedarikçisi ve üreticisidir. Ürünümüz, yarı iletken endüstrilerinde, özellikle gofret yongası üzerindeki epitaksiyel tabakanın büyümesinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Duyarlımız, dişli veya halka şeklinde bir tasarımla MOCVD'de merkez plaka olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Ürün, aşırı ortamlarda kararlı olmasını sağlayan yüksek ısı ve korozyon direncine sahiptir.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

MOCVD Susceptor for Epitaksial Growth ürünümüzün avantajlarından biri, soyulmayı önleyerek tüm yüzeyde kaplama sağlama yeteneğidir. Ürün, 1600°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda stabilite sağlayan yüksek sıcaklık oksidasyon direncine sahiptir. Ürünümüzün yüksek saflığı, yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında CVD kimyasal buhar biriktirme yoluyla elde edilir. İnce parçacıklara sahip yoğun yüzey, ürünün asit, alkali, tuz ve organik reaktiflerden kaynaklanan korozyona karşı oldukça dayanıklı olmasını sağlar.
Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlımız, termal profilin düzgünlüğünü sağlayarak en iyi laminer gaz akış modelini elde etmek için tasarlanmıştır. Bu, gofret çipinde yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlayarak herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önlemeye yardımcı olur.
Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlımız hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.


Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Susceptor Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal yapı

FCC β fazı

Yoğunluk

g/cm³

3.21

Sertlik

Vickers sertliği

2500

Tane büyüklüğü

ım¼m

2~10

Kimyasal Saflık

%

99.99995

Isı kapasitesi

J·kg-1 ·K-1

640

Süblimleşme Sıcaklığı

2700

Feleksural Mukavemet

MPa (RT 4 noktalı)

415

Youngâ s Modülü

Gpa (4pt viraj, 1300â)

430

Termal Genleşme (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Termal iletkenlik

(W/mK)

300


Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlısının Özellikleri

- Soyulmayı önleyin ve tüm yüzeyin kaplanmasını sağlayın
Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci: 1600°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda kararlı
Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında CVD kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
Korozyon direnci: yüksek sertlik, yoğun yüzey ve ince parçacıklar.
Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
- En iyi laminer gaz akış modelini elde edin
- Termal profilin düzgünlüğünü garanti eder
- Herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önleyin




Sıcak Etiketler: Epitaksiyel Büyüme için MOCVD Duyarlısı, Çin, Üreticiler, Tedarikçiler, Fabrika, Özelleştirilmiş, Toplu, Gelişmiş, Dayanıklı

İlgili Kategori

Talep Gönder

Lütfen sorgunuzu aşağıdaki formda yapmaktan çekinmeyin. 24 saat içinde size cevap vereceğiz.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept