ICP için sic taşıyıcı

Modern indüksiyonelleştiriciplazma (ICP) aşınma ve biriktirme araçlarının uzlaşmaz taleplerini karşılamak için tasarlanmış, ICP için yarı suyun semikorexsic -kılıflı grafit taşıyıcısı, nadir bir plazma esnekliği, termal hassasiyet ve mekanik stabilite dengesi sağlar. Çekirdeğinde, kristal yönünü olağanüstü anizotropik davranış üretmek için sıkı bir şekilde kontrol edilen tescilli, küçük tabakalı grafit bir substrat yatıyor: düzlem içi termal iletkenlik geleneksel izostatik dereceleri aşarken, düzlemsel yol, gofretli sıcak noktaları bastırmak için kasvetli olarak moderer kalır. Bu yönlü ısı akışı yönetimi, 150 mm ila 300 mm'lik bir gofret boyunca her ölmenin, doğrudan daha dar kritik boyut (CD) dağılımlarına ve daha yüksek cihaz verimlerine dönüşen tek tip sıcaklık rampası ve sabit durum dengesini deneyimlemesini sağlar.

Bu ultra çubuk grafit etrafına sarılmış, yüksek sıcaklıklı bir CVD fırında ayrıştırılmış konformal bir silikon - karbür tabakasıdır. SIC kaplama - kimyasal olarak 2.000 ° C'ye kadar inert ve%0.1'den az bir mikro -orosporite ile övünür - yüksek yoğunluklu ICP kimyalarında yaygın olan flor, klor ve bromin radikallerine karşı geçirimsiz bir kalkan oluşturur. CF₄/O₂, Cl₂/BCL₃ ve HBR/HE plazmalarında uzun süreli dayanıklılık testi, 0.3µmper100 saatin altında erozyon oranları göstererek, taşıyıcı hizmet ömrünü endüstri normlarının çok ötesine uzattı ve koruyucu kararlı duruş süresini büyük ölçüde azalttı.

Boyutsal hassasiyet eşit derecede tavizsizdir: yüzey düzlüğü, tüm cepli alan boyunca ± 5 um içinde kontrol edilirken, kenar dışlama özellikleri, gofret çevresini mikro -artandan korumak için lazerdir. Sıkı tolerans, SIC kaplamanın yakınlara yakın sertliği ile birleştiğinde, katil kusur kontaminasyonundan 10nm nod işlemlerini koruyarak mekanik sıkıştırma ve elektrostatik şöp bisikleti altında parçacık üretimine direnir. Yüksek güçlü ICP reaktörleri için, taşıyıcının düşük elektriksel direnci (<40Ω · m) hızlı RF topraklama düzlemi stabilizasyonunu teşvik ederek fotorezist profilleri aşındırabilen veya mikro maskeyi indükleyebilen kılıf voltaj dalgalanmalarını en aza indirir.

Her bir Semicorex taşıyıcı grubu kapsamlı bir metrolojiye maruz kalır - grafit kristalografik hizalamayı doğrulamak için Raman haritası, SIC katman bütünlüğünü doğrulamak için SEM çapraz kesiti ve PPM seviyesi safsızlık eşiklerini onaylamak için artık gaz analizi. Mikro -LOT üretiminde ısrar ettiğimiz için (çalışma başına 20'den az), istatistiksel süreç kontrol grafikleri son derece sıkı kalır ve kitle pazar tedarikçilerinin eşleşemeyeceği gofret - wafer tekrarlanabilirliği garanti etmemizi sağlar. Özel geometriler, cep derinlikleri ve arka soğutma kanalları, üç hafta kadar kısa teslim süreleri ile mevcuttur, ekipman OEM'lerini ve yüksek karma fabları, tüm donanım yığınlarını yeniden tasarlamadan oda tariflerini optimize etmek için kullanılabilir.

Dünya sınıfı anizotropik grafiti hermetik bir sic zırhı ile birleştirerek, ICP için Semicorex SIC taşıyıcısı, uzun ömürlü, kontaminasyon - etkisi ve termal olarak tek tip bir platform sağlar - sadece en sert plazma ortamlarına dayanan, ancak süreç pencere enlemini ve kalıp düzeyi işlemini aktif olarak geliştirir. Her zamankinden daha sıkı çizgi genişlikleri, daha dik profiller ve daha düşük sahiplik maliyetine yönelik cihaz üreticileri için, her mikron, her gofret ve her saatin önemli olduğu tercih edilen taşıyıcıdır.