SiC Kristal Büyümesi için Gözenekli Grafit

Şu anda çoğu SiC substrat üreticisi, gözenekli grafit silindirlere sahip yeni bir pota termal alan proses tasarımı kullanıyor: yüksek saflıkta SiC parçacık hammaddelerini grafit pota duvarı ile gözenekli grafit silindir arasına yerleştirirken, tüm potayı derinleştiriyor ve pota çapını artırıyor. Avantajı, şarj hacmi artarken hammaddelerin buharlaşma alanının da artmasıdır. Yeni süreç, kaynak malzemenin yüzeyinde büyüme ilerledikçe hammaddenin üst kısmının yeniden kristalleşmesinin neden olduğu ve süblimasyonun malzeme akışını etkileyen kristal kusurları sorununu çözüyor. Yeni süreç aynı zamanda hammadde alanındaki sıcaklık dağılımının kristal büyümesine olan hassasiyetini azaltır, kütle transfer verimliliğini iyileştirir ve stabilize eder, büyümenin sonraki aşamalarında karbon kalıntılarının etkisini azaltır ve SiC kristallerinin kalitesini daha da artırır. Yeni işlem aynı zamanda tohum kristaline yapışmayan, serbest termal genleşmeye izin veren ve stresin hafifletilmesine yardımcı olan çekirdeksiz kristal destek sabitleme yöntemini de kullanıyor. Bu yeni süreç, termal alanı optimize eder ve çap genişletme verimliliğini büyük ölçüde artırır.

Bu yeni işlemle elde edilen SiC tek kristallerinin kalitesi ve verimi büyük ölçüde pota grafiti ve gözenekli grafitin fiziksel özelliklerine bağlıdır. Yüksek performanslı gözenekli grafite olan acil talep, gözenekli grafiti aşırı derecede pahalı hale getirmekle kalmıyor, aynı zamanda pazarda ciddi bir kıtlığa da neden oluyor.

Temel performans gereksinimlerigözenekli grafit

(1) Uygun gözenek boyutu dağılımı;

(2) Yeterince yüksek gözeneklilik;

(3) İşleme ve kullanım gereksinimlerini karşılayan mekanik dayanıklılık.

Semicorex yüksek kalite sunuyorgözenekli grafitparçalar. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

İletişim telefonu numarası +86-13567891907

E-posta: sales@semicorex.com