2" Galyum Oksit Yüzeyler

Semicorex 2" Galyum Oksit Substratlar, artan seri üretim ve ticarileştirme hızıyla dördüncü nesil yarı iletkenlerin hikayesinde yeni bir bölümü temsil ediyor. Bu substratlar, çeşitli ileri teknolojik uygulamalar için olağanüstü faydalar sergiliyor. Galyum Oksit substratlar, yalnızca yarı iletken teknolojisinin yanı sıra yüksek riskli endüstrilerde cihaz verimliliğini ve performansını artırmak için yeni yollar da açıyoruz. Semicorex olarak kaliteyi maliyet verimliliğiyle birleştiren yüksek performanslı 2" Galyum Oksit Substratlar üretmeye ve tedarik etmeye kendimizi adadık.**

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Ultraviyole Işık Algılama ve Güç Ekipmanı: Semicorex 2" Galyum Oksit Substratların yaklaşık 4,8-4,9 eV'lik geniş bant aralığı, yüksek voltaj ve güç koşullarını verimli bir şekilde yönetmede üstün performans sergilediği ultraviyole ışık dedektörleri ve güç ekipmanı gibi uygulamalarda üstünlük sağlamalarına olanak tanır .

Yüksek Sıcaklıkta Çalışmalar: 2" Galyum Oksit Substratların mükemmel yüksek sıcaklık stabilitesi, bunların 1200 santigrat dereceye kadar ortamlarda çalışmasına olanak tanır. Bu özellik, onu yüksek sıcaklık, yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için son derece uygun hale getirir diğer birçok yarı iletken malzemeyi geride bırakıyor.

Yüksek Arıza Alanı: 2" Galyum Oksit Substratların yüksek arıza alanı gücü, onları yüksek voltaj uygulamaları için mükemmel bir aday haline getirerek güç dönüştürücüler ve invertörler gibi cihazların güvenilirliğini ve ömrünü önemli ölçüde artırır.

Kimyasal Direnç: 2" Galyum Oksit Substratların standart sıcaklık ve basınç koşulları altındaki yüksek kimyasal stabilitesi, birçok asit ve bazlara karşı direnç sağlar, zorlu kimyasal ortamlarda dayanıklılığını ve ömrünü artırır.

Bu özelliklerin benzersiz kombinasyonu, Semicorex 2" Galyum Oksit Substratları güç elektroniği, optoelektronik, fotokataliz ve gaz algılama alanlarında çok yönlü bir malzeme olarak konumlandırır. Kapsamlı uygulama potansiyeli, zorlu koşullar altında güvenilir performans gösterme yeteneğinden kaynaklanmaktadır. mevcut yarı iletken yeteneklerinin sınırları.