Ga2O3 Epitaksi

Güç ve verimliliğin sınırlarını yeniden tanımlayan çığır açan bir çözüm olan Semicorex Ga2O3 Epitaxy ile yarı iletken mükemmelliğinde yeni bir çağa adım atın. Hassasiyet ve yenilikle tasarlanan Ga2O3 epitaksi, yeni nesil cihazlar için bir platform sunarak çeşitli uygulamalarda benzersiz performans vaat ediyor.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Dördüncü nesil geniş bant aralıklı yarı iletkenden türetilen Ga2O3 epitaksi, zorlu ortamlarda yeni bir performans kararlılığı ve güvenilirlik düzeyi sunar. Geniş bant aralığı yapısı, onu yüksek sıcaklık ve yüksek radyasyon uygulamaları için tercih edilen bir malzeme olarak konumlandırıyor.

Yüksek Arıza Alanı Dayanımı: Ga2O3'ün olağanüstü arıza alanı gücünden ve yükseltilmiş Baliga değerlerinden yararlanın; bu da onu yüksek voltaj ve yüksek güç uygulamaları için rakipsiz bir malzeme haline getirir. Ga2O3 epitaksi, daha yüksek güvenilirlik ve minimum güç kaybı sağlar.

Ga2O3 epitaksi üstün güç verimliliğiyle öne çıkıyor. Baliga, GaN'den dört kat ve SiC'den on kat daha fazla değere sahip olduğundan mükemmel iletkenlik özellikleri sunar. Ga2O3 epitaksi cihazları, SiC'nin yalnızca 1/7'sinde ve silikon bazlı cihazların etkileyici bir şekilde 1/49'unda güç kayıpları sergiler.

Ga2O3 epitaksinin düşük sertliği üretim sürecini basitleştirerek işlem maliyetlerinin azalmasına neden olur. Bu avantaj, Ga2O3 epitaksisini çeşitli uygulamalar için uygun maliyetli ve ölçeklenebilir bir çözüm olarak konumlandırır.