Si Epitaksi

Si epitaksi, kalınlık, doping konsantrasyonu ve bileşim gibi belirli katman özelliklerinin mühendisliğini sağlar. Katkı maddeleri olarak bilinen kontrollü miktarlarda safsızlıkların epitaksiyel tabakaya dahil edilmesiyle, ortaya çıkan cihazların elektriksel özellikleri tam olarak uyarlanabilir. Bu, karmaşık elektronik devrelerin entegrasyonuna izin vererek, farklı iletkenlik türleri (n-tipi veya p-tipi) ve istenen taşıyıcı konsantrasyonları ile farklı bölgelerin oluşturulmasını sağlar.

Si epitaksi, mikroişlemciler, bellek yongaları, görüntü sensörleri ve güneş pilleri dahil olmak üzere gelişmiş yarı iletken cihazların üretiminde temel bir süreçtir. Cihaz performansının, minyatürleştirilmesinin ve işlevselliğinin iyileştirilmesinde hayati bir rol oynar. Malzeme özellikleri üzerinde hassas kontrol ile yüksek kaliteli epitaksiyel katmanları biriktirme yeteneği, yarı iletken endüstrisinde devam eden ilerlemeye ve yeniliğe katkıda bulunur.