GaN Epitaksi

Galyum Nitrür GaN epitaksi, mükemmel elektriksel ve optik özelliklere sahip geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir ve bu da onu çeşitli elektronik ve optoelektronik cihazlar için umut verici bir aday haline getirir.

GaN epitaksi, yüksek güçlü elektronikler, katı hal aydınlatma (LED'ler) ve yüksek frekanslı cihazlar dahil olmak üzere GaN tabanlı cihazların geliştirilmesinde devrim yarattı. Malzeme özellikleri üzerinde hassas kontrol ile yüksek kaliteli GaN epitaksiyel katmanlarını büyütme yeteneği, GaN cihazlarının performansını, verimliliğini ve güvenilirliğini önemli ölçüde geliştirerek güç elektroniği, telekomünikasyon ve tüketici elektroniği gibi çeşitli endüstrilerdeki gelişmelere katkıda bulundu.