SiC Epitaksi

Semicorex, silisyum karbür cihazlarının geliştirilmesi için alt tabakalar üzerinde özel ince film (silikon karbür) SiC epitaksi sağlar.

SiC epitaksisi, katkı maddeleri dahil edilerek veya farklı kristal yönelimleri büyütülerek belirli cihaz gereksinimlerini karşılayacak şekilde uyarlanabilir. Epitaksiyel tabakanın nitrojen veya alüminyum gibi safsızlıklarla katkılanması, taşıyıcı konsantrasyonunun kontrol edilmesi veya p-n bağlantılarının oluşturulması gibi elektriksel özelliklerin değiştirilmesine izin verir.

SiC epitaksiyel katmanın kalitesi, X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu, atomik kuvvet mikroskobu ve elektriksel ölçümler dahil olmak üzere çeşitli karakterizasyon teknikleri ile değerlendirilir. Bu teknikler, epitaksiyel tabakanın kristal yapısını, yüzey morfolojisini ve elektriksel performansını değerlendirmeye yardımcı olur.

Semicorex şunları sunabilir: SiC epitaksiyel gofret, GaN epitaksiyel gofret, Si Epitaxy, SiC gofret, vb.