SiC Epitaksi

Semicorex, silisyum karbür cihazların geliştirilmesi için alt tabakalar üzerinde özel ince film (silisyum karbür) SiC epitaksi sağlar.

SiC epitaksi, katkı maddeleri ekleyerek veya farklı kristal yönelimlerini büyüterek özel cihaz gereksinimlerini karşılayacak şekilde uyarlanabilir. Epitaksiyel tabakanın nitrojen veya alüminyum gibi yabancı maddelerle katkılanması, taşıyıcı konsantrasyonunun kontrol edilmesi veya p-n bağlantılarının oluşturulması gibi elektriksel özelliklerin değiştirilmesine olanak tanır.

SiC epitaksiyel katmanının kalitesi, X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu, atomik kuvvet mikroskobu ve elektriksel ölçümler dahil olmak üzere çeşitli karakterizasyon teknikleri aracılığıyla değerlendirilir. Bu teknikler epitaksiyel tabakanın kristal yapısını, yüzey morfolojisini ve elektriksel performansını değerlendirmeye yardımcı olur.

Semicorex şunları sunabilir: SiC epitaksiyel levha, GaN epitaksiyel levha, Si Epitaksi, SiC levha vb.