Namlu Alıcı Epi Sistemi

Semicorex Namlu Susceptor Epi Sistemi üstün kaplama yapışması, yüksek saflık ve yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci sunan yüksek kaliteli bir üründür. Eşit termal profili, laminer gaz akış modeli ve kirlenmenin önlenmesi, onu levha yongaları üzerindeki epiksiyal katmanların büyümesi için ideal bir seçim haline getiriyor. Maliyet etkinliği ve özelleştirilebilirliği, onu pazarda son derece rekabetçi bir ürün haline getiriyor.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Namlu Susceptor Epi Sistemimiz mükemmel termal performans, hatta termal profil ve üstün kaplama yapışması sunan son derece yenilikçi bir üründür. Yüksek saflığı, yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci ve korozyon direnci, onu yarı iletken endüstrisinde kullanım için oldukça güvenilir bir ürün haline getirir. Kirlenmeyi ve yabancı maddeleri önlemesi ve düşük bakım gereksinimleri, onu pazarda oldukça rekabetçi bir ürün haline getiriyor.
Semicorex olarak müşterilerimize yüksek kaliteli, uygun maliyetli ürünler sunmaya odaklanıyoruz. Namlu Susceptor Epi Sistemimiz fiyat avantajına sahip olup birçok Avrupa ve Amerika pazarına ihraç edilmektedir. Tutarlı kalitede ürünler ve olağanüstü müşteri hizmetleri sunarak uzun vadeli ortağınız olmayı hedefliyoruz.
Namlu Susceptor Epi Sistemimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.

Namlu Suseptör Epi Sisteminin Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J kg-1 K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300

Namlu Susceptor Epi Sisteminin Özellikleri

- Hem grafit alt tabaka hem de silisyum karbür tabakası iyi bir yoğunluğa sahiptir ve yüksek sıcaklık ve aşındırıcı çalışma ortamlarında iyi bir koruyucu rol oynayabilir.

- Tek kristal büyütme için kullanılan silisyum karbür kaplı suseptör çok yüksek yüzey düzlüğüne sahiptir.

- Grafit substrat ile silisyum karbür katman arasındaki termal genleşme katsayısı farkını azaltın, çatlama ve delaminasyonu önlemek için bağlanma gücünü etkili bir şekilde artırın.

- Hem grafit alt katman hem de silisyum karbür katman, yüksek termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahiptir.

- Yüksek erime noktası, yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci, korozyon direnci.