SiC gofret epitaksisi için CVD işlemi

SiC gofret epitaksisi için CVD işlemi, SiC filmlerinin bir gaz fazı reaksiyonu kullanılarak bir SiC substratı üzerine biriktirilmesini içerir. Tipik olarak metiltriklorosilan (MTS) ve etilen (C2H4) olan SiC öncü gazları, kontrollü bir hidrojen (H2) atmosferi altında SiC substratının yüksek bir sıcaklığa (genellikle 1400 ila 1600 santigrat derece arasında) ısıtıldığı bir reaksiyon odasına verilir. .

Epi-gofret Varil duyarlı

CVD işlemi sırasında, SiC öncü gazları SiC substratı üzerinde ayrışır, silikon (Si) ve karbon (C) atomlarını serbest bırakır ve bunlar daha sonra substrat yüzeyinde bir SiC filmi oluşturmak üzere yeniden birleşir. SiC filminin büyüme hızı tipik olarak SiC öncü gazlarının konsantrasyonu, sıcaklık ve reaksiyon odasının basıncı ayarlanarak kontrol edilir.

SiC gofret epitaksisi için CVD işleminin avantajlarından biri, film kalınlığı, tekdüzelik ve doping üzerinde yüksek derecede kontrol ile yüksek kaliteli SiC filmler elde etme yeteneğidir. CVD işlemi ayrıca, SiC filmlerin yüksek tekrarlanabilirlik ve ölçeklenebilirlik ile geniş alanlı alt tabakalar üzerine biriktirilmesine izin verir ve bu da onu endüstriyel ölçekli üretim için uygun maliyetli bir teknik haline getirir.