Semicorex GaN Epitaksi Taşıyıcı, gelişmiş malzemeleri ve hassas mühendisliği entegre ederek yarı iletken üretiminde çok önemlidir. CVD SiC kaplamasıyla öne çıkan bu taşıyıcı, olağanüstü dayanıklılık, termal verimlilik ve koruma özellikleri sunarak sektörde öne çıkıyor. Semicorex olarak biz, kaliteyi maliyet verimliliğiyle birleştiren yüksek performanslı GaN Epitaksi Taşıyıcısını üretmeye ve tedarik etmeye kendimizi adadık.
Semicorex GaN Epitaksi Taşıyıcı, levha epitaksiyel prosesler için tasarlanmış olup, levhaları fırın içinde güvenli bir şekilde taşıma konusunda üstündür. GaN Epitaksi Taşıyıcısı, gelişmiş elektronik ve optoelektronik cihazların üretilmesi için gerekli olan yüksek kaliteli, tekrarlanabilir ince filmler ve epitaksiyel katmanların elde edilmesi açısından çok önemlidir.
GaN Epitaksi Taşıyıcının grafit substratı, son teknoloji ürünü Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) silikon karbür (SiC) kaplama ile güçlendirilmiştir. Bu SiC katmanı, kimyasal buhar biriktirme yoluyla titizlikle uygulanarak epitaksi işlemi sırasında kimyasal reaksiyonlara ve aşınmaya karşı sağlam koruma sağlar. Ek olarak, GaN Epitaksi Taşıyıcısının SiC kaplaması, taşıyıcının termal özelliklerini iyileştirerek levhaların verimli ve eşit şekilde ısıtılmasını kolaylaştırır. Bu tür tekdüze ısıtma, yarı iletken plakalar üzerinde tutarlı ve yüksek kaliteli epitaksiyel katmanlar üretmek için hayati öneme sahiptir.
Çeşitli yarı iletken levha boyutlarına uyacak şekilde özelleştirilebilir Semicorex GaN Epitaxy Taşıyıcı, çeşitli üretim ihtiyaçları için çok yönlü bir çözümdür. Belirli boyutlar, şekiller veya kaplama kalınlıkları gerekip gerekmediğine bakılmaksızın ekibimiz, müşterilerin kesin özelliklerini karşılayan ve benzersiz uygulamaları için performansı optimize eden bir çözüm geliştirmek üzere müşterilerle işbirliği yapar.