Semicorex, Çin'deki Silisyum Karbür Kaplamalı Grafit Süseptörlerin büyük ölçekli üreticisi ve tedarikçisidir. Silisyum karbür katmanlar ve epitaksi yarı iletken gibi yarı iletken endüstrilerine odaklanıyoruz. SiC Epi-Wafer Süseptörümüz iyi bir fiyat avantajına sahiptir ve Avrupa ve Amerika pazarlarının çoğunu kapsamaktadır. Uzun vadeli ortağınız olmayı sabırsızlıkla bekliyoruz.
Semicorex, levhaları desteklemek için kullanılan MOCVD ile kaplanmış SiC Epi-Gofret Süseptörünü tedarik ediyor. Yüksek saflıkta silisyum karbür (SiC) kaplı grafit yapıları, üstün ısı direnci, tutarlı epi katman kalınlığı ve direnci için eşit termal tekdüzelik ve dayanıklı kimyasal direnç sağlar. İnce SiC kristal kaplama, temiz ve pürüzsüz bir yüzey sağlar; bu, bozulmamış plakaların tüm alanları boyunca birçok noktada suseptörle temas etmesi nedeniyle kullanım için kritik öneme sahiptir.
SiC Epi-Wafer Süseptörümüz, termal profilin düzgünlüğünü sağlayarak en iyi laminer gaz akış modelini elde edecek şekilde tasarlanmıştır. Bu, levha çipinde yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlayarak herhangi bir kirlenmenin veya yabancı maddelerin yayılmasının önlenmesine yardımcı olur.
SiC Epi-Wafer Süseptörümüz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.
SiC Epi-Wafer Süseptörünün Parametreleri
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri |
||
SiC-CVD Özellikleri |
||
Kristal Yapısı |
FCC β fazı |
|
Yoğunluk |
g/cm³ |
3.21 |
Sertlik |
Vickers sertliği |
2500 |
Tane Boyutu |
μm |
2~10 |
Kimyasal Saflık |
% |
99.99995 |
Isı Kapasitesi |
J kg-1 K-1 |
640 |
Süblimleşme Sıcaklığı |
℃ |
2700 |
Feleksural Dayanım |
MPa (RT 4 nokta) |
415 |
Young Modülü |
Gpa (4pt viraj, 1300°C) |
430 |
Termal Genleşme (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Isı iletkenliği |
(W/mK) |
300 |
SiC Epi-Wafer Süseptörünün Özellikleri
Yüksek saflıkta SiC kaplı grafit
Üstün ısı direnci ve termal homojenlik
Pürüzsüz bir yüzey için ince SiC kristal kaplı
Kimyasal temizlemeye karşı yüksek dayanıklılık
Malzeme çatlama ve delaminasyon oluşmayacak şekilde tasarlanmıştır.