GaN ve SiC

Halen araştırılmakta olan çeşitli materyaller bulunmaktadır; bunlar arasındasilisyum karbüren umut verici olanlardan biri olarak öne çıkıyor. BenzerGaNSilikonla karşılaştırıldığında daha yüksek çalışma voltajına, daha yüksek arıza voltajına ve üstün iletkenliğe sahiptir. Ayrıca yüksek ısı iletkenliği sayesindesilisyum karbürAşırı sıcaklıkların olduğu ortamlarda kullanılabilir. Son olarak, boyut olarak önemli ölçüde daha küçük olmasına rağmen daha fazla gücü idare etme kapasitesine sahiptir.

RağmenSiCgüç amplifikatörleri için uygun bir malzemedir, yüksek frekanslı uygulamalar için uygun değildir. Diğer taraftan,GaNküçük güç amplifikatörleri oluşturmak için tercih edilen malzemedir. Ancak mühendisler birleştirme aşamasında bir zorlukla karşılaştılar.GaNfrekansını ve verimliliğini sınırladığı için P tipi silikon MOS transistörlerleGaN. Bu kombinasyon tamamlayıcı yetenekler sunsa da soruna ideal bir çözüm değildi.

Teknoloji ilerledikçe, araştırmacılar sonunda P tipi GaN cihazları veya farklı teknolojiler kullanan tamamlayıcı cihazlar bulabilirler.GaN. Ancak o güne kadarGaNçağımızın teknolojisiyle sınırlı olmaya devam edecek.

İlerlemesiGaNteknoloji, malzeme bilimi, elektrik mühendisliği ve fizik arasında ortak bir çaba gerektirir. Bu disiplinlerarası yaklaşım, mevcut sınırlamaların üstesinden gelmek için gereklidir.GaNteknoloji. P tipi GaN geliştirmede atılımlar yapabilir veya uygun tamamlayıcı malzemeler bulabilirsek, bu yalnızca GaN tabanlı cihazların performansını artırmakla kalmayacak, aynı zamanda daha geniş bir yarı iletken teknolojisi alanına da katkıda bulunacaktır. Bu, gelecekte daha verimli, kompakt ve güvenilir elektronik sistemlerin önünü açabilir.