SiC MOCVD İç Segment

Semicorex SiC MOCVD İç Segment, performans ve güvenilirlik için tasarlanmış olup zorlu SiC epitaksi süreci için kritik bir bileşen sağlar. Yüksek saflıkta malzemelerden ve gelişmiş üretim tekniklerinden yararlanan SiC MOCVD İç Segmenti, yeni nesil güç elektroniği ve diğer gelişmiş yarı iletken uygulamaları için gerekli olan yüksek kaliteli SiC epikatmanlarının büyütülmesini sağlar:

Malzeme Avantajları:

SiC MOCVD İç Segmenti, sağlam ve yüksek performanslı bir malzeme kombinasyonu kullanılarak üretilmiştir:

Ultra Yüksek Saflıkta Grafit Substrat (Kül İçeriği < 5 ppm):Grafit alt tabaka, kapak segmenti için güçlü bir temel sağlar. Olağanüstü derecede düşük kül içeriği, kirlenme risklerini en aza indirerek büyüme süreci sırasında SiC epikatmanlarının saflığını sağlar.

Yüksek Saflıkta CVD SiC Kaplama (Saflık ≥ %99,99995):Grafit alt tabaka üzerine tekdüze, yüksek saflıkta bir SiC kaplama uygulamak için bir kimyasal buhar biriktirme (CVD) işlemi kullanılır. Bu SiC katmanı, SiC epitaksisinde kullanılan reaktif öncülere karşı üstün direnç sağlayarak istenmeyen reaksiyonları önler ve uzun vadeli stabilite sağlar.

Bazı Diğer CVD SiC MOCVD Parçaları Semicorex Malzemeleri  

MOCVD Ortamlarında Performans Avantajları:

Olağanüstü Yüksek Sıcaklık Kararlılığı:Yüksek saflıkta grafit ve CVD SiC kombinasyonu, SiC epitaksi için gereken yüksek sıcaklıklarda (tipik olarak 1500°C'nin üzerinde) olağanüstü stabilite sağlar. Bu, tutarlı performans sağlar ve uzun süreli kullanımda bükülme veya deformasyonu önler.

Agresif Öncülere Karşı Direnç:SiC MOCVD İç Segmenti, SiC MOCVD proseslerinde yaygın olarak kullanılan silan (SiH4) ve trimetilalüminyum (TMAl) gibi agresif öncülere karşı mükemmel kimyasal direnç sergiler. Bu, korozyonu önler ve kapak bölümünün uzun vadeli bütünlüğünü sağlar.

Düşük Partikül Üretimi:SiC MOCVD İç Segmentinin pürüzsüz, gözeneksiz yüzeyi, MOCVD işlemi sırasında parçacık oluşumunu en aza indirir. Bu, temiz bir proses ortamının sürdürülmesi ve hatasız, yüksek kaliteli SiC epikatmanların elde edilmesi açısından çok önemlidir.

Geliştirilmiş Gofret Tekdüzeliği:SiC MOCVD İç Segmentinin tek biçimli termal özellikleri, deformasyona karşı direnciyle birleştiğinde, epitaksi sırasında levha boyunca gelişmiş sıcaklık eşitliğine katkıda bulunur. Bu, SiC epikatmanlarının daha homojen büyümesine ve geliştirilmiş tekdüzeliğine yol açar.

Uzatılmış Hizmet Ömrü:Sağlam malzeme özellikleri ve zorlu proses koşullarına karşı üstün direnç, Semicorex SiC MOCVD İç Segment için daha uzun bir hizmet ömrü anlamına gelir. Bu, değiştirme sıklığını azaltır, arıza süresini en aza indirir ve genel işletme maliyetlerini düşürür.