Ev > Ürünler > Silisyum Karbür Kaplamalı > MOCVD Duyarlısı > MOCVD için SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlıları
MOCVD için SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlıları

MOCVD için SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlıları

MOCVD için Semicorex SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlayıcılar, yarı iletken endüstrisinde kullanılan üstün kaliteli taşıyıcılardır. Ürünümüz, mükemmel performans ve uzun süreli dayanıklılık sağlayan yüksek kaliteli silisyum karbür ile tasarlanmıştır. Bu taşıyıcı, gofret yongası üzerinde epitaksiyel bir katman oluşturma sürecinde kullanım için idealdir.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

MOCVD için SiC Kaplı Grafit Tabanlı Suseptörlerimiz, zorlu ortamlarda bile mükemmel stabilite sağlayan yüksek ısı ve korozyon direncine sahiptir.
MOCVD için bu SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlıların özellikleri olağanüstü. Grafit üzerine yüksek saflıkta silisyum karbür kaplama ile yapılmıştır, bu da onu 1600°C'ye varan yüksek sıcaklıklarda oksidasyona karşı oldukça dirençli kılar. Üretiminde kullanılan CVD kimyasal buhar biriktirme işlemi, yüksek saflık ve mükemmel korozyon direnci sağlar. Taşıyıcının yüzeyi, korozyon direncini artıran ve onu asit, alkali, tuz ve organik reaktiflere karşı dirençli kılan ince parçacıklarla yoğundur.
MOCVD için SiC Kaplı Grafit Tabanlı Suseptörlerimiz, en iyi laminer gaz akış modelini garanti ederek eşit bir termal profil sağlar. Herhangi bir kontaminasyonun veya safsızlığın gofretin içine yayılmasını önleyerek onu temiz oda ortamlarında kullanım için ideal hale getirir. Semicorex, Çin'de büyük ölçekli bir SiC Kaplı Grafit Susceptor üreticisi ve tedarikçisidir ve ürünlerimiz iyi bir fiyat avantajına sahiptir. Yarı iletken endüstrisinde uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.


MOCVD için SiC Kaplı Grafit Bazlı Duyarlıların Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal yapı

FCC β fazı

Yoğunluk

g/cm³

3.21

Sertlik

Vickers sertliği

2500

Tane büyüklüğü

ım¼m

2~10

Kimyasal Saflık

%

99.99995

Isı kapasitesi

J·kg-1 ·K-1

640

Süblimleşme Sıcaklığı

2700

Feleksural Mukavemet

MPa (RT 4 noktalı)

415

Youngâ s Modülü

Gpa (4pt viraj, 1300â)

430

Termal Genleşme (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Termal iletkenlik

(W/mK)

300


MOCVD için SiC Kaplı Grafit Susceptor Özellikleri

- Soyulmayı önleyin ve tüm yüzeyin kaplanmasını sağlayın
Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci: 1600°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda kararlı
Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında CVD kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
Korozyon direnci: yüksek sertlik, yoğun yüzey ve ince parçacıklar.
Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
- En iyi laminer gaz akış modelini elde edin
- Termal profilin düzgünlüğünü garanti eder
- Herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önleyin




Sıcak Etiketler: MOCVD için SiC Kaplı Grafit Tabanlı Suseptörler, Çin, Üreticiler, Tedarikçiler, Fabrika, Özelleştirilmiş, Toplu, Gelişmiş, Dayanıklı

İlgili Kategori

Talep Gönder

Lütfen sorgunuzu aşağıdaki formda yapmaktan çekinmeyin. 24 saat içinde size cevap vereceğiz.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept