Silisyum Karbür ICP Dağlama Plakası

Silisyum Karbür ICP Dağlama PlakasıAşındırma operasyonlarında levhalar için sabit destek ve hassas konumlandırma sağlama konusunda yetkin olup, titreşim veya yer değiştirmenin neden olduğu aşındırma hassasiyetindeki azalmaları etkili bir şekilde önler.

Silisyum Karbür ICP Aşındırma Plakası termal yönetim özelliklerine sahiptir. Üstün termal iletkenlikSIC seramikSilikon Karbür ICP Aşındırma Plakasına ısıyı hızlı bir şekilde dağıtma yeteneği verir, bu da iş parçasının yerel olarak aşırı ısınmasını önlemeye yardımcı olur ve aşındırma sıcaklığının tekdüzeliğini sağlar, böylece aşındırma kalitesini artırır. SiC seramikleri düşük bir termal genleşme katsayısına sahiptir, bu da Silisyum Karbür ICP Dağlama Plakasının iyi boyutsal stabiliteyi korumasını ve termal genleşmenin neden olduğu iş parçası yer değiştirmesini veya deformasyonunu azaltmasını sağlar.

Mükemmel sertlik ve mukavemet özelliklerine dayanan Silisyum Karbür ICP Aşındırma Plakası, aşındırma işlemi sırasında karşılaşılan mekanik stresi ve plazma etkisini minimum deformasyon veya hasarla tolere etme yeteneğini gösterir. Bu yetenek, yarı iletken cihazların verimini ve üretim verimliliğini etkili bir şekilde artırır.

ICP çalışma ortamı yarı iletken düzeyinde temizlik gerektirir. Semicorex'in Silisyum Karbür ICP Aşındırma Plakası, bu gereksinimi tam olarak karşılayabilir ve ICP aşındırma ortamlarının kimyasal gazlarına (klor ve flor gibi) ve plazmaya karşı olağanüstü direnç sağlar. Bu önemli özellik, aşındırma işlemleri sırasında açığa çıkan kirletici maddelerin miktarını azaltarak proses ortamını temiz tutar.

Semicorex, mevcut ICP dağlama sistemleriyle sorunsuz bir şekilde entegre olan ve çeşitli konfigürasyonlarla uyumlu olan özelleştirilmiş Silisyum Karbür ICP Dağlama Plakası tasarımları sunarak kullanıcı rahatlığını ön planda tutar. Bu, sorunsuz bir geçişe olanak tanır ve bu da onu ekipman üreticileri için ideal bir yükseltme çözümü haline getirir.