Kristal büyütme ve gofret taşıma işlemlerinde kullanılan MOCVD Vakum Odası Kapağı, yüksek sıcaklıklara ve sert kimyasal temizliğe dayanmalıdır. Semicorex Silisyum Karbür Kaplamalı MOCVD Vakum Odası Kapağı, özellikle bu zorlu ortamlara dayanacak şekilde tasarlanmıştır. Ürünlerimiz iyi bir fiyat avantajına sahiptir ve Avrupa ve Amerika pazarlarının çoğunu kapsamaktadır. Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.
Semicorex Grafit bileşenleri, tek kristal ve gofret işlemini büyütmek için kullanılan, yüksek saflıkta SiC kaplı grafittir. MOCVD Vakum Odası Kapağı Bileşiği büyümesi, yüksek ısı ve korozyon direncine sahiptir, uçucu öncü gazlar, plazma ve yüksek sıcaklığın bir kombinasyonunu deneyimlemeye dayanıklıdır.
Semicorex'te kendimizi müşterilerimize yüksek kaliteli ürünler ve hizmetler sunmaya adadık. Yalnızca en iyi malzemeleri kullanıyoruz ve ürünlerimiz en yüksek kalite ve performans standartlarını karşılayacak şekilde tasarlanıyor. MOCVD Vakum Odası Kapağımız bir istisna değildir. Yarı iletken gofret işleme ihtiyaçlarınız konusunda size nasıl yardımcı olabileceğimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.
MOCVD Vakum Odası Kapağının Parametreleri
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri |
||
SiC-CVD Özellikleri |
||
Kristal yapı |
FCC β fazı |
|
Yoğunluk |
g/cm³ |
3.21 |
Sertlik |
Vickers sertliği |
2500 |
Tane büyüklüğü |
ım¼m |
2~10 |
Kimyasal Saflık |
% |
99.99995 |
Isı kapasitesi |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Süblimleşme Sıcaklığı |
℃ |
2700 |
Feleksural Mukavemet |
MPa (RT 4 noktalı) |
415 |
Youngâ s Modülü |
Gpa (4pt viraj, 1300â) |
430 |
Termal Genleşme (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termal iletkenlik |
(W/mK) |
300 |
MOCVD Vakum Odası Kapağının Özellikleri
â Ultra düz yetenekler
â Ayna cilası
â Olağanüstü hafiflik
â Yüksek sertlik
â Düşük termal genleşme
â Aşırı aşınma direnci