SiC Uç Efektörü

Semicorex, Çin'deki Silisyum Karbür Kaplamalı Grafit Süseptörlerin büyük ölçekli üreticisi ve tedarikçisidir. Silisyum karbür katmanlar ve epitaksi yarı iletken gibi yarı iletken endüstrilerine odaklanıyoruz. SiC Uç Efektörümüz iyi bir fiyat avantajına sahiptir ve birçok Avrupa ve Amerika pazarını kapsamaktadır. Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı sabırsızlıkla bekliyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Semicorex SiC End Effector, Silisyum Karbür Kaplama (SiC) grafit ile yapılır, kaplama CVD yöntemiyle belirli yüksek yoğunluklu grafit derecelerine uygulanır, böylece inert bir atmosferde 3000 °C'nin üzerindeki yüksek sıcaklıktaki fırında çalışabilir. Vakumda 2200°C.

SiC Uç Efektörümüz, termal profilin düzgünlüğünü sağlayarak en iyi laminer gaz akış modelini elde edecek şekilde tasarlanmıştır. Bu, levha çipinde yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlayarak herhangi bir kirlenmenin veya yabancı maddelerin yayılmasının önlenmesine yardımcı olur.

SiC Uç Efektörümüz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bizimle iletişime geçin.

SiC Uç Efektörünün Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J kg-1 K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300