Ev > Ürünler > Silisyum Karbür Kaplamalı > Namlu Duyarlısı > Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısı
Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısı

Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısı

Olağanüstü termal iletkenlik ve ısı dağıtım özellikleri ile Semicorex Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Varil Yapısı, LPE işlemlerinde ve diğer yarı iletken üretim uygulamalarında kullanım için mükemmel bir seçimdir. Yüksek saflıkta SiC kaplaması, yüksek sıcaklık ve korozif ortamlarda üstün koruma sağlar.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Semicorex Varil Yapısı, olağanüstü ısı ve korozyon direnci gerektiren yüksek performanslı grafit duyarlı uygulamalar için tercih edilen seçimdir. Yüksek saflıkta SiC kaplaması ve üstün yoğunluğu ve termal iletkenliği, en zorlu ortamlarda bile güvenilir ve tutarlı performans sağlayarak üstün koruma ve ısı dağıtım özellikleri sağlar.

Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapımız, termal profilin düzgünlüğünü sağlayarak en iyi laminer gaz akış modelini elde etmek için tasarlanmıştır. Bu, gofret çipinde yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlayarak herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önlemeye yardımcı olur.

Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Varil Yapımız hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.


Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısının Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal yapı

FCC β fazı

Yoğunluk

g/cm³

3.21

Sertlik

Vickers sertliği

2500

Tane büyüklüğü

ım¼m

2~10

Kimyasal Saflık

%

99.99995

Isı kapasitesi

J·kg-1 ·K-1

640

Süblimleşme Sıcaklığı

2700

Feleksural Mukavemet

MPa (RT 4 noktalı)

415

Youngâ s Modülü

Gpa (4pt viraj, 1300â)

430

Termal Genleşme (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Termal iletkenlik

(W/mK)

300


Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısının Özellikleri

- Hem grafit alt tabaka hem de silisyum karbür tabaka iyi bir yoğunluğa sahiptir ve yüksek sıcaklıkta ve aşındırıcı çalışma ortamlarında iyi bir koruyucu rol oynayabilir.

- Tek kristal büyütme için kullanılan silisyum karbür kaplı suseptör çok yüksek yüzey düzgünlüğüne sahiptir.

- Grafit alt tabaka ile silisyum karbür katman arasındaki termal genleşme katsayısındaki farkı azaltın, çatlamayı ve delaminasyonu önlemek için bağlanma gücünü etkin bir şekilde artırın.

- Hem grafit substrat hem de silisyum karbür tabakası, yüksek bir termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahiptir.

- Yüksek erime noktası, yüksek sıcaklık oksidasyon direnci, korozyon direnci.






Sıcak Etiketler: Yarı İletken Epitaksiyel Reaktör için Namlu Yapısı, Çin, Üreticiler, Tedarikçiler, Fabrika, Özelleştirilmiş, Toplu, Gelişmiş, Dayanıklı

İlgili Kategori

Talep Gönder

Lütfen sorgunuzu aşağıdaki formda yapmaktan çekinmeyin. 24 saat içinde size cevap vereceğiz.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept