SiC Kürekler

Semicorex SiC kürekleri, gofretleri 1000 santigrat dereceden daha sıcak fırınlara taşıyan gofret "taşıyıcılarıdır". Bu onların temel avantajıdır: Numuneyi aşırı ortamlarda taşırken mekanik sertliği korumak için yüksek saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi. Yüksek saflıkta malzemeler, metal yabancı maddelerin levhayı kirletmesine izin vermemek için etkilidir; yüksek sıcaklık stabilitesi de aynı şekildesilisyum karbürmetal yabancı maddelerin veya parçacıkların gazdan çıkmasının levhayı kirletmesini önleyen işleme sıcaklıklarında kimyasal stabiliteyi koruyacağından istikrarlı bir levha verimi sağlar. Son olarak,konsol kürekleraynı zamanda entegre levha aktarım sistemleriyle de uyumlu olup, insana olan bağımlılığı daha da azaltır ve verimi artırır.

SiC Kürekler, özellikle diğerlerinin yanı sıra yüksek sıcaklıkta oksidasyon ve difüzyon gibi işlemlerde yarı iletken levhanın toplu iş yüküne taşınması ve entegrasyonu için taşıyıcının benzersiz bileşenidir. Yüksek saflıkta üretilmiştirsilisyum karbür (SiC)SiC Kürekler, 1000 °C'nin üzerindeki sıcaklıkların üzerinde stabil taşıma sağlamak için termal stabilite, mekanik mukavemet ve kimyasal dayanıklılık sağlar. SiC Kürekler levha işleme için gereklidir: oksidasyon, difüzyon ve tavlama süreci boyunca bütünlük ve tutarlılığı korurken kırılgan alt tabakaların uygun şekilde işlenebilmesini sağlayacaktır.

Sağlam ve güvenilir olacak şekilde tasarlanan SiC Kürekler, levha teknelerini veya levha yığınlarını tutan konsol tipi kollardır. Kürek, gofretleri işlem odasına takılırken veya çıkarılırken destekler. Geleneksel malzemeler bu yüksek sıcaklıklarda deformasyon, eğrilme veya kimyasal bozunma nedeniyle bozulur. Silisyum karbürün mekanik stabilitesi ve yapısal bütünlüğü, küreğin şekil veya fonksiyon kaybı olmadan birden fazla termal döngüye dayanabilmesini sağlar. Bu yetenek, fırının hizalamasını korumak, işlem sırasında levhaların hasar görmemesini sağlamak ve pahalı arıza sürelerini en aza indirmek için önemlidir.

SiC Küreklerin termal stabilitesi, genellikle oksidasyon ve difüzyon proseslerinde ortaya çıkan reaktif gazlara (örn. yüksek sıcaklıkta oksijen, klor ve diğer agresif türler) karşı mükemmel kimyasal direnci ile tamamlanmaktadır. Birçok malzeme hem yüksek sıcaklığa hem de oksijene maruz kaldığında tahrip olur veya kirlenir. Silisyum karbür kimyasal olarak inerttir ve yoğun mikro yapısı, kimyasal reaksiyonların oluşmamasını sağlayarak hem kanadın yapısal bütünlüğünü hem de levha için temiz bir ortam sağlar. Sonuçta ortaya çıkan kontaminasyon riski, en gelişmiş proses düğümlerinden bazılarında çalışan yarı iletken üreticileri için minimum düzeyde tutulmakta olup, kontaminasyonların iz elementleri bile cihaz performansında önemli değişikliklere neden olabilmektedir.

SiC Küreklerle ilişkili mekanik bütünlük aynı zamanda taşıma süreçlerinde de değer sağlar. Konsol yapısal formu, katman yığınlarının ağırlıklarını taşıyabilen ve esnemeyen veya sarkmayan bir malzeme gerektirir. Silisyum karbürün çok yüksek modülü ve çok yüksek sertliği, onu gerekli mekanik yapısal fonksiyon açısından iyi bir değerlendirme haline getirir. SiC Paddle, levhalarla dolu olsa bile hem düzlüğü hem de yapıyı korur. Bu, uzun üretim dönemlerinde fırının ve koşullarının sürekli kontrol edilmesi anlamına gelir.