LED için PSS Dağlama Taşıyıcı Tepsi

Semicorex'te, epitaksiyel büyüme ve gofret işleme süreçleri için gereken zorlu ortamlar için özel olarak LED için PSS Etching Carrier Tepsisini tasarladık. Ultra saf grafit taşıyıcımız, MOCVD, epitaksi suseptörleri, gözleme veya uydu platformları gibi ince film biriktirme aşamaları ve aşındırma gibi gofret işleme işlemleri için idealdir. SiC kaplı taşıyıcı, yüksek ısı ve korozyon direncine, mükemmel ısı dağıtım özelliklerine ve yüksek termal iletkenliğe sahiptir. LED için PSS Dağlama Taşıyıcı Tepsimiz uygun maliyetlidir ve iyi bir fiyat avantajı sunar. Birçok Avrupa ve Amerika pazarına hitap ediyoruz ve Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Semicorex'in LED için PSS Dağlama Taşıyıcı Tepsisi, epitaksiyel büyüme ve gofret işleme süreçleri için gereken zorlu ortamlar için tasarlanmıştır. Ultra saf grafit taşıyıcımız, MOCVD ve epitaksi suseptörleri, gözleme veya uydu platformları gibi ince film biriktirme aşamaları sırasında gofretleri desteklemek için tasarlanmıştır. SiC kaplı taşıyıcı, yüksek ısı ve korozyon direncine, mükemmel ısı dağıtım özelliklerine ve yüksek termal iletkenliğe sahiptir. Ürünlerimiz uygun maliyetli ve iyi bir fiyat avantajına sahiptir. Birçok Avrupa ve Amerika pazarına hitap ediyoruz ve Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.

LED için PSS Dağlama Taşıyıcı Tepsimiz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.

LED için PSS Dağlama Taşıyıcı Tepsi Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
SiC-CVD Özellikleri
Kristal yapı	FCC Î² fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane büyüklüğü	ım¼m	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı kapasitesi	J·kg-1 ·K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Mukavemet	MPa (RT 4 noktalı)	415
Youngâ s Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300â)	430
Termal Genleşme (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termal iletkenlik	(W/mK)	300