Üçüncü Nesil Yarı İletkenlere Giriş: GaN ve İlgili Epitaksiyel Teknolojiler

1. Üçüncü Nesil Yarı İletkenler

(1) Birinci Nesil Yarı İletkenler

Birinci nesil yarı iletken teknolojisi silikon (Si) ve germanyum (Ge) gibi malzemelere dayanmaktadır. Bu malzemeler, 20. yüzyıl elektronik endüstrisinin temelini oluşturan transistör ve entegre devre (IC) teknolojisinin temelini attı.

(2) İkinci Nesil Yarı İletkenler
İkinci nesil yarı iletken malzemeler öncelikle galyum arsenit (GaAs), indiyum fosfit (InP), galyum fosfit (GaP), indiyum arsenit (InAs), alüminyum arsenit (AlAs) ve bunların üçlü bileşiklerini içerir. Bu malzemeler, aydınlatma, görüntüleme, lazer, fotovoltaik ve diğer ilgili endüstrilerin gelişmesine yol açan optoelektronik bilgi endüstrisinin omurgasını oluşturur. Çağdaş bilgi teknolojisi ve optoelektronik ekran endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadırlar.

(3) Üçüncü Nesil Yarı İletkenler
Üçüncü nesil yarı iletkenlerin temsili malzemeleri arasında galyum nitrür (GaN) ve silisyum karbür (SiC) bulunur. Geniş bant aralığı, yüksek elektron doygunluğu sürüklenme hızı, yüksek termal iletkenlik ve geniş arızalı elektrik alanları nedeniyle bu malzemeler, yüksek güç yoğunluğu, yüksek frekans ve düşük kayıplı elektronik cihazlar için idealdir. SiC güç cihazları yüksek enerji yoğunluğuna, düşük enerji tüketimine ve küçük boyuta sahiptir; bu da onları elektrikli araçlar, fotovoltaik, demiryolu taşımacılığı ve büyük veri sektörlerindeki uygulamalar için uygun kılar. GaN RF cihazları, 5G iletişimleri, Nesnelerin İnterneti (IoT) ve askeri radar uygulamaları için avantaj sağlayan yüksek frekans, yüksek güç, geniş bant genişliği, düşük güç tüketimi ve küçük boyut özelliklerine sahiptir. Ek olarak, GaN tabanlı güç cihazları artık alçak gerilim uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ortaya çıkan galyum oksit (Ga2O3) malzemeleri, özellikle düşük frekanslı, yüksek voltaj uygulamalarında mevcut SiC ve GaN teknolojilerini tamamlama potansiyeli de göstermektedir.

İkinci nesil yarı iletken malzemelerle karşılaştırıldığında, üçüncü nesil malzemeler daha geniş bant aralığına sahiptir (tipik Si'nin bant aralığı yaklaşık 1,1 eV'dir, GaAs yaklaşık 1,42 eV'dir, GaN ise 2,3 eV'yi aşar), daha güçlü radyasyon direncine, daha yüksek elektrik alanı bozulma performansına sahiptir ve daha iyi yüksek sıcaklık dayanımı. Bu özellikler, üçüncü nesil yarı iletken malzemeleri özellikle radyasyona dayanıklı, yüksek frekanslı, yüksek güçlü ve yüksek entegrasyon yoğunluklu elektronik cihazlar için uygun hale getirir. Mikrodalga RF cihazları, LED'ler, lazerler ve güç cihazlarında önemli ilerlemeler kaydediyorlar ve mobil iletişim, akıllı şebekeler, demiryolu taşımacılığı, elektrikli araçlar, tüketici elektroniği ve ultraviyole ve mavi-yeşil ışıklı cihazlarda umut verici beklentiler gösteriyorlar[1].

Şekil 1: GaN Güç Cihazlarının Pazar Büyüklüğü ve Tahmini

2. GaN'ın Yapısı ve Özellikleri

Galyum Nitrür (GaN), wurtzit yapısında oda sıcaklığında yaklaşık 3,26 eV bant aralığına sahip doğrudan bant aralıklı bir yarı iletkendir. GaN öncelikle üç kristal yapıda bulunur: wurtzite, çinkoblend ve kaya tuzu. Wurtzite yapısı bunlar arasında en kararlı olanıdır.Şekil 2, GaN'nin altıgen wurtzite yapısını göstermektedir. Wurtzite yapısında GaN, altıgen sıkı paket konfigürasyonuna aittir. Her birim hücre, 6 nitrojen (N) atomu ve 6 galyum (Ga) atomu dahil olmak üzere 12 atom içerir. Her Ga (N) atomu en yakın 4 N (Ga) atomuna bağlanarak ABABAB… modelinde[2] [0001] yönü boyunca bir istifleme dizisi oluşturur.

Şekil 2: GaN Birim Hücresinin Wurtzite Yapısı

3. GaN Epitaksi için Ortak Yüzeyler

İlk bakışta GaN substratları üzerindeki homoepitaksi, GaN epitaksi için en uygun seçim gibi görünmektedir. Ancak GaN'nin yüksek bağ enerjisinden dolayı erime noktasında (2500°C), karşılık gelen ayrışma basıncı yaklaşık 4,5 GPa'dır. Bu basıncın altında GaN erimez ancak doğrudan ayrışır. Bu, Czochralski yöntemi gibi geleneksel substrat hazırlama tekniklerini GaN tek kristal substratların hazırlanması için uygunsuz hale getirir. Sonuç olarak GaN substratlarının seri üretimi zordur ve maliyetlidir. Bu nedenle GaN epitaksisi için yaygın olarak kullanılan substratlar Si, SiC ve safirdir[3].

Şekil 3: GaN ve Ortak Yüzey Malzemelerinin Parametreleri

(1) Safir üzerinde GaN Epitaksi

Safir kimyasal olarak stabildir, ucuzdur ve seri üretimde yüksek derecede olgunluğa sahiptir, bu da onu yarı iletken cihaz mühendisliğinde en eski ve en yaygın kullanılan alt tabaka malzemelerinden biri yapar. GaN epitaksi için ortak bir substrat olan safir substratların aşağıdaki temel sorunları ele alması gerekir:

✔ Yüksek Kafes Uyumsuzluğu: Safir (Al2O3) ve GaN arasındaki kafes uyumsuzluğu önemlidir (yaklaşık %15), bu da epitaksiyel katman ile alt tabaka arasındaki arayüzde yüksek kusur yoğunluğuna yol açar. Bu olumsuz etkiyi azaltmak için, epitaksiyel işlem başlamadan önce alt tabakanın karmaşık ön işleme tabi tutulması gerekir. Bu, kirletici maddeleri ve artık cilalama hasarını gidermek için kapsamlı temizlemeyi, basamaklar ve basamaklı yüzey yapıları oluşturmayı, epitaksiyel katmanın ıslatma özelliklerini değiştirmek için yüzey nitridasyonunu ve son olarak ince bir AlN tampon katmanının (tipik olarak 10-100 nm kalınlığında) biriktirilmesini ve ardından düşük seviyeli kaplamayı içerir. - son epitaksiyel büyümeye hazırlanmak için sıcaklık tavlaması. Bu önlemlere rağmen, safir substratlar üzerinde büyütülen GaN epitaksiyel filmlerdeki dislokasyon yoğunluğu, silikon veya GaAs üzerindeki homoepitaksiye (0 ila 102-104 cm^-2 dislokasyon yoğunluğu) kıyasla yüksek kalır (~10^10 cm^-2). Yüksek kusur yoğunlukları taşıyıcı hareketliliğini azaltır, azınlık taşıyıcılarının ömrünü kısaltır ve termal iletkenliği azaltır; bunların tümü cihazın performansını olumsuz etkiler[4].

✔ Termal Genleşme Katsayısı Uyuşmazlığı: Safir, GaN'den daha büyük bir termal genleşme katsayısına sahiptir, bu da biriktirme sıcaklığından oda sıcaklığına kadar soğurken epitaksiyel katman içinde iki eksenli basınç gerilimine neden olur. Daha kalın epitaksiyel filmler için bu gerilim, filmin veya hatta alt tabakanın çatlamasına neden olabilir.

✔ Zayıf Isı İletkenliği: Diğer yüzeylerle karşılaştırıldığında safirin daha düşük bir ısı iletkenliği vardır (100°C'de ~0,25 Wcm^-1K^-1), bu da ısı dağıtımı açısından dezavantajlıdır.

✔ Düşük Elektrik İletkenliği: Safirin zayıf elektrik iletkenliği, diğer yarı iletken cihazlarla entegrasyonunu ve uygulamasını engeller.

Safir üzerinde büyütülmüş GaN epitaksiyel katmanlarındaki yüksek kusur yoğunluğuna rağmen, GaN tabanlı mavi-yeşil LED'lerdeki optik ve elektronik performansı önemli ölçüde azalmış görünmüyor. Bu nedenle, GaN tabanlı LED'ler için safir substratlar yaygın olmaya devam ediyor. Bununla birlikte, lazerler ve diğer yüksek yoğunluklu güç cihazları gibi daha fazla GaN cihazı geliştikçe, safir substratların doğasında olan sınırlamalar giderek daha belirgin hale geliyor.

(2) SiC üzerinde GaN Epitaksi

Safirle karşılaştırıldığında, SiC substratları (4H- ve 6H-politipleri), GaN epitaksiyel katmanlarıyla daha küçük bir kafes uyumsuzluğuna ([0001] yönü boyunca %3,1), daha yüksek termal iletkenliğe (yaklaşık 3,8 Wcm^-1K^-1) ve daha yüksek termal iletkenliğe sahiptir. Arka taraftaki elektrik kontaklarına izin veren elektriksel iletkenlik, cihaz yapılarını basitleştirir. Bu avantajlar, artan sayıda araştırmacıyı SiC substratları üzerinde GaN epitaksisini keşfetmeye çekiyor. Bununla birlikte, GaN epitaksiyel katmanlarının SiC substratları üzerinde doğrudan büyümesi de çeşitli zorluklarla karşı karşıyadır:

✔ Yüzey Pürüzlülüğü: SiC yüzeyler, safir yüzeylere göre çok daha yüksek yüzey pürüzlülüğüne sahiptir (safir için 0,1 nm RMS, SiC için 1 nm RMS). SiC'nin yüksek sertliği ve zayıf işlenebilirliği, GaN epitaksiyel katmanlarındaki kusurların kaynağı olan bu pürüzlülüğe ve artık cilalama hasarına katkıda bulunur.

✔ Yüksek İş Parçacığı Dislokasyonu Yoğunluğu: SiC alt katmanları, GaN epitaksiyel katmanına yayılabilen ve cihazın performansını düşürebilen yüksek iş parçacığı dislokasyon yoğunluklarına (103-104 cm^-2) sahiptir.

✔ İstifleme Hataları: Substrat yüzeyindeki atomik düzenleme, GaN epitaksiyel katmanlarında istifleme hatalarına (BSF'ler) neden olabilir. SiC substratı üzerindeki olası birden fazla atomik düzenleme, GaN katmanında tekdüze olmayan başlangıç ​​atomik istifleme dizilerine yol açarak istifleme hatası olasılığını artırır. C ekseni boyunca yer alan BSF'ler, yerleşik elektrik alanları oluşturarak cihazlarda taşıyıcı ayrılmasına ve sızıntı sorunlarına neden olur.

✔ Termal Genleşme Katsayısı Uyuşmazlığı: SiC'nin termal genleşme katsayısı AlN ve GaN'den daha küçüktür, bu da soğutma sırasında epitaksiyel katman ile alt tabaka arasında termal gerilim birikmesine yol açar. Waltereit ve Brand'in araştırması, GaN epitaksiyel katmanının ince, tutarlı bir şekilde gerilmiş AlN çekirdeklenme katmanı üzerinde büyütülmesiyle bu sorunun hafifletilebileceğini öne sürüyor.

✔ Ga Atomlarının Zayıf Islatılması: Ga atomlarının zayıf ıslanması nedeniyle GaN'nin SiC yüzeylerinde doğrudan büyümesi zordur. GaN, 3 boyutlu ada modunda büyüme eğilimindedir; tampon katmanların eklenmesi, epitaksiyel malzemelerin kalitesini artırmak için yaygın bir çözümdür. AlN veya AlxGa1-xN tampon katmanlarının eklenmesi, SiC yüzeyindeki ıslanmayı iyileştirebilir, GaN epitaksiyel katmanının 2 boyutlu büyümesini teşvik edebilir ve stresi modüle etme ve substrat kusurlarının GaN katmanına yayılmasını engelleme işlevi görebilir.

✔ Yüksek Maliyet ve Sınırlı Tedarik: SiC alt tabaka hazırlama teknolojisi olgunlaşmamış olup, yüksek alt tabaka maliyetlerine ve az sayıda satıcıdan sınırlı tedarike yol açmaktadır.

Torres ve arkadaşlarının araştırması. SiC substratlarının yüksek sıcaklıklarda (1600°C) H2 ile önceden aşındırılmasının, daha düzenli adım yapıları oluşturduğunu ve bunun, doğrudan işlenmemiş substratlar üzerinde büyütülenlere kıyasla daha yüksek kalitede AlN epitaksiyel filmlerle sonuçlandığını gösterir. Xie ve ekibi ayrıca SiC substratlarının aşındırma ön işleminin GaN epitaksiyel katmanlarının yüzey morfolojisini ve kristal kalitesini önemli ölçüde iyileştirdiğini gösterdi. Smith ve ark. substrat/tampon katman ve tampon katman/epitaksiyel katman arayüzlerinden dişlenme dislokasyonlarının substrat düzlüğü ile ilişkili olduğunu buldu[5].

Şekil 4: Farklı Yüzey İşlemleri Altında 6H-SiC Substratların (0001) Yüzünde Yetiştirilen GaN Epitaksiyel Katmanların TEM Morfolojisi: (a) Kimyasal Temizleme; (b) Kimyasal Temizleme + Hidrojen Plazma İşlemi; © Kimyasal Temizleme + Hidrojen Plazma Arıtma + 1300°C 30 dk Hidrojen Termal Arıtma

(3) Si üzerinde GaN Epitaksi

SiC ve safir substratlarla karşılaştırıldığında silikon substratlar olgun hazırlama süreçlerine, istikrarlı büyük boyutlu substrat tedarikine, maliyet etkinliğine ve mükemmel termal ve elektrik iletkenliğine sahiptir. Ek olarak, olgun silikon elektronik cihaz teknolojisi, optoelektronik GaN cihazlarının silikon elektronik cihazlarla mükemmel entegrasyonu için potansiyel sunarak, silikon üzerindeki GaN epitaksisini oldukça çekici hale getiriyor. Bununla birlikte, Si substratları ve GaN malzemeleri arasındaki önemli kafes sabiti uyumsuzluğu çeşitli zorlukları beraberinde getirir.

✔ Arayüz Enerji Sorunları: GaN, Si substratları üzerinde büyütüldüğünde, Si yüzeyi ilk önce amorf bir SiNx katmanı oluşturur ve bu, yüksek yoğunluklu GaN çekirdekleşmesine zarar verir. Ek olarak, Si yüzeyleri başlangıçta Ga ile reaksiyona girerek yüzey korozyonuna neden olur ve yüksek sıcaklıklarda Si yüzeyinin ayrışması GaN epitaksiyel katmanına yayılarak siyah silikon lekeleri oluşturabilir.

✔ Kafes Uyumsuzluğu: GaN ve Si arasındaki büyük kafes sabiti uyumsuzluğu (~%17), yüksek yoğunluklu diş dislokasyonlarına neden olur ve epitaksiyel katmanın kalitesini önemli ölçüde azaltır.

✔ Termal Genleşme Katsayısı Uyuşmazlığı: GaN, Si'den daha büyük bir termal genleşme katsayısına sahiptir (GaN ~5.6×10^-6 K^-1, Si ~2.6×10^-6 K^-1), bu da GaN'de çatlaklara neden olabilir Epitaksiyel büyüme sıcaklığından oda sıcaklığına soğutma sırasında epitaksiyel tabaka.

✔ Yüksek Sıcaklık Reaksiyonları: Si, yüksek sıcaklıklarda NH3 ile reaksiyona girerek polikristalin SiNx oluşturur. AlN tercihen polikristalin SiNx üzerinde çekirdeklenemez, bu da çok yüksek kusur yoğunlukları ile yüksek derecede yönelimsiz GaN büyümesine yol açar, bu da tek kristalli GaN epitaksiyel katmanların oluşturulmasını zorlaştırır[6].

Büyük kafes uyumsuzluğunu gidermek için araştırmacılar, AlAs, GaAs, AlN, GaN, ZnO ve SiC gibi malzemeleri Si substratları üzerine tampon katmanlar olarak eklemeye çalıştılar. Çok kristalli SiNx oluşumunu önlemek ve bunun GaN/AlN/Si (111) kristal kalitesi üzerindeki olumsuz etkilerini azaltmak için, NH3'ün açıktaki Si yüzeyi ile reaksiyona girmesini önlemek amacıyla TMAl genellikle AlN tampon katmanının epitaksiyel büyümesinden önce eklenir. Ek olarak, epitaksiyel katman kalitesini artırmak için desenli substratlar gibi teknikler kullanılır. Bu gelişmeler, epitaksiyel arayüzde SiNx oluşumunun bastırılmasına, GaN epitaksiyel katmanının 2 boyutlu büyümesinin desteklenmesine ve büyüme kalitesinin arttırılmasına yardımcı olur. AlN tampon katmanlarının eklenmesi, termal genleşme katsayılarındaki farklılıkların neden olduğu çekme gerilimini telafi ederek silikon substratlar üzerindeki GaN katmanındaki çatlakları önler. Krost'un araştırması, AlN tampon tabakası kalınlığı ile azaltılmış gerinim arasında pozitif bir korelasyon olduğunu ve uygun büyüme şemaları yoluyla silikon substratlar üzerinde çatlama olmadan 6 mikron kalınlığındaki epitaksiyel katmanların büyümesine olanak sağladığını gösteriyor.

Kapsamlı araştırma çabaları sayesinde, silikon substratlar üzerinde büyütülen GaN epitaksiyel katmanlarının kalitesi önemli ölçüde arttı. Alan etkili transistörler, Schottky bariyerli ultraviyole dedektörleri, mavi-yeşil LED'ler ve ultraviyole lazerlerin tümü önemli ilerleme kaydetti.

Sonuç olarak, ortak GaN epitaksiyel substratlarının tümü heteroepitaksiyeldir ve değişen derecelerde kafes uyumsuzluğu ve termal genleşme katsayısı farklılıklarıyla karşı karşıyadır. Homoepitaksiyel GaN substratları olgunlaşmamış teknoloji, yüksek üretim maliyetleri, küçük substrat boyutları ve optimal olmayan kalite nedeniyle sınırlıdır; bu da yeni GaN epitaksiyel substratların geliştirilmesini ve epitaksiyel kalitenin iyileştirilmesini endüstrinin daha fazla ilerlemesi için kritik faktörler haline getirir.

4. GaN Epitaksi için Ortak Yöntemler

(1) MOCVD (Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme)

GaN substratları üzerindeki homoepitaksi, GaN epitaksi için en uygun seçim gibi görünse de, Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) önemli avantajlar sunar. Ön maddeler olarak trimetilgalyum ve amonyağı ve taşıyıcı gaz olarak hidrojeni kullanan MOCVD, tipik olarak 1000-1100°C civarındaki büyüme sıcaklıklarında çalışır. MOCVD'nin büyüme hızı saatte birkaç mikrometre aralığındadır. Bu yöntem atomik olarak keskin arayüzler üretebilir, bu da onu büyüyen heteroeklemler, kuantum kuyuları ve süper örgüler için ideal kılar. Nispeten yüksek büyüme hızı, mükemmel tekdüzelik ve geniş alanlı ve çoklu levha büyümesine uygunluğu, onu endüstriyel üretim için standart bir yöntem haline getirir.

(2) MBE (Moleküler Işın Epitaksi)

Moleküler Işın Epitaksi'de (MBE), galyum için element kaynakları kullanılır ve nitrojen gazından RF plazma yoluyla aktif nitrojen üretilir. MOCVD ile karşılaştırıldığında MBE, 350-400°C civarında önemli ölçüde daha düşük büyüme sıcaklıklarında çalışır. Bu düşük sıcaklık, yüksek sıcaklıktaki ortamlarda ortaya çıkabilecek bazı kirlenme sorunlarını önleyebilir. MBE sistemleri ultra yüksek vakum koşulları altında çalışarak daha fazla yerinde izleme tekniğinin entegrasyonuna olanak tanır. Ancak MBE'nin büyüme hızı ve üretim kapasitesi MOCVD'ninkiyle eşleşemiyor, bu da onu araştırma uygulamaları için daha uygun kılıyor[7].

Şekil 5: (a) Eiko-MBE şeması (b) MBE Ana Reaksiyon Odası şeması

(3) HVPE (Hidrit Buhar Fazlı Epitaksi)

Hidrit Buhar Fazlı Epitaksi (HVPE), öncül olarak GaCl3 ve NH3'ü kullanır. Detchprohm ve ark. safir substratlar üzerinde birkaç yüz mikrometre kalınlığında GaN epitaksiyel katmanları büyütmek için bu yöntemi kullandı. Deneylerinde, safir substrat ile epitaksiyel katman arasında bir ZnO tampon katmanı büyütüldü ve epitaksiyel katmanın substrat yüzeyinden soyulması sağlandı. MOCVD ve MBE ile karşılaştırıldığında HVPE'nin temel avantajı, onu kalın katmanlar ve dökme malzeme üretimi için uygun kılan yüksek büyüme hızıdır. Ancak epitaksiyel katman kalınlığı 20μm'yi aştığında HVPE tarafından büyütülen katmanlar çatlamaya eğilimlidir.

Akira USUI, HVPE yöntemini temel alan desenli alt tabaka teknolojisini tanıttı. Başlangıçta, MOCVD kullanılarak safir bir substrat üzerinde 1-1.5μm kalınlığında ince bir GaN epitaksiyel katman büyütüldü. Bu katman, 20 nm kalınlığında düşük sıcaklıklı GaN tampon katmanından ve yüksek sıcaklıklı GaN katmanından oluşuyordu. Daha sonra 430°C'de epitaksiyel tabakanın yüzeyine bir SiO2 tabakası çöktürüldü ve fotolitografi yoluyla SiO2 filmi üzerinde pencere şeritleri oluşturuldu. Şerit aralığı 7μm idi ve maske genişlikleri 1μm ila 4μm arasında değişiyordu. Bu değişiklik, kalınlık onlarca hatta yüzlerce mikrometreye yükseldiğinde bile çatlaksız ve ayna gibi pürüzsüz kalan 2 inç çapındaki safir substratlar üzerinde GaN epitaksiyel katmanlar üretmelerini sağladı. Kusur yoğunluğu geleneksel HVPE yönteminin 109-1010 cm^-2'sinden yaklaşık 6×10^7 cm^-2'ye düşürüldü. Ayrıca, büyüme hızı 75μm/saati aştığında numune yüzeyinin pürüzlü hale geldiğini de belirtmişlerdir[8]. 

                                                                                                                   

                                                                                                                                     Şekil 6: Desenli Alt Tabakanın Şeması

5. Özet ve Görünüm

Muazzam pazar talebi şüphesiz GaN ile ilgili endüstrilerde ve teknolojilerde önemli ilerlemelere yol açacaktır. GaN'ye yönelik endüstriyel zincir olgunlaşıp geliştikçe, GaN epitaksisindeki mevcut zorluklar eninde sonunda hafifletilecek veya üstesinden gelinecektir. Gelecekteki gelişmeler muhtemelen yeni epitaksiyel teknikleri ve üstün substrat seçeneklerini ortaya çıkaracaktır. Bu ilerleme, farklı uygulama senaryolarının özelliklerine göre en uygun epitaksiyel teknolojinin ve alt tabakanın seçilmesini sağlayacak ve son derece rekabetçi, özelleştirilmiş ürünlerin üretilmesine yol açacaktır.**

Referanslar:

[1] "Dikkat" Yarı İletken Malzeme-Galyum Nitrür (baidu.com)

[2] Tang Linjiang, Wan Chengan, Zhang Minghua, Li Ying, Geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler SiC ve GaN'nin araştırma durumu, Askeri ve Sivil Çift Kullanımlı Teknoloji ve Ürünler, Mart 2020, Sayı 437, 21-28.

[3] Wang Huan, Tian Ye, Silikon substrat üzerinde galyum nitrürün büyük uyumsuzluk stres kontrol yöntemi üzerine araştırma, Bilim ve Teknoloji İnovasyonu ve Uygulaması, Sayı 3, 2023

[4]L.Liu, J.H.Edgar, Substrates for galium nitride epitaksi, Materials Science and Engineering R, 37(2002) 61-127.

[5]P.Ruterana, Philippe Vermaut, G.Nouet, A.Salvador, H.Morkoc, MBE tarafından 6H-SiC'nin (0001)Si yüzeyinde 2H-GaN büyümesinde yüzey işlemi ve katman yapısı, MRS Internet J. Nitrür Yarıiletken. Res.2(1997)42.

[6]M.A.Sanchez-Garcia, F.B. Naranjo, J.L.Pau, A.Jimenez, E.Calleja, E.Munoz, Si(111) üzerinde büyütülen GaN/AlGaN tek heteroeklemli ışık yayan diyotlarda ultraviyole elektrolüminesans, Journal of Applied Physics 87,1569(2000).

[7]Xinqiang Wang, Akihiko Yoshikawa, GaN, AlN ve InN'nin moleküler ışın epitaksi büyümesi, Kristal Büyümesinde İlerleme ve Malzemelerin Karakterizasyonu 48/49 (2004) 42-103.

[8]Akira Usui，Haruo Sunakawa，Akira Sakai ve A. atsushi Yamaguchi, Hidrit buhar fazı epitaksi ile düşük dislokasyon yoğunluğu ile kalın GaN epitaksiyel büyüme, Jpn. J. Başvuru. Fizik. Cilt 36 (1997) s.899-902.