MOCVD Ekipmanı için Yarı İletken Gofret Taşıyıcısını fabrikamızdan satın alacağınızdan emin olabilirsiniz. Yarı iletken gofret taşıyıcıları, MOCVD ekipmanının önemli bir bileşenidir. Üretim sürecinde yarı iletken levhaları taşımak ve korumak için kullanılırlar. MOCVD Ekipmanı için Yarı İletken Gofret Taşıyıcıları, yüksek saflıkta malzemelerden yapılmıştır ve işleme sırasında gofretlerin bütünlüğünü korumak için tasarlanmıştır.
MOCVD Ekipmanı için Yarı İletken Gofret Taşıyıcımız, yarı iletken üretim sürecinin önemli bir bileşenidir. CVD yöntemiyle silisyum karbür kaplamalı yüksek saflıkta grafitten yapılmıştır ve birden fazla gofreti barındıracak şekilde tasarlanmıştır. Taşıyıcı, geliştirilmiş verim, artırılmış üretkenlik, azaltılmış kirlilik, artırılmış güvenlik ve maliyet etkinliği gibi çeşitli avantajlar sunar. MOCVD Ekipmanı için güvenilir ve yüksek kaliteli bir Yarı İletken Gofret Taşıyıcı arıyorsanız, ürünümüz mükemmel bir çözümdür.
MOCVD Ekipmanı için Yarı İletken Gofret Taşıyıcımız hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.
MOCVD Ekipmanı için Yarı İletken Gofret Taşıyıcı Parametreleri
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri |
||
SiC-CVD Özellikleri |
||
Kristal yapı |
FCC β fazı |
|
Yoğunluk |
g/cm³ |
3.21 |
Sertlik |
Vickers sertliği |
2500 |
Tane büyüklüğü |
ım¼m |
2~10 |
Kimyasal Saflık |
% |
99.99995 |
Isı kapasitesi |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Süblimleşme Sıcaklığı |
℃ |
2700 |
Feleksural Mukavemet |
MPa (RT 4 noktalı) |
415 |
Youngâ s Modülü |
Gpa (4pt viraj, 1300â) |
430 |
Termal Genleşme (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termal iletkenlik |
(W/mK) |
300 |
MOCVD için SiC Kaplı Grafit Susceptor Özellikleri
- Soyulmayı önleyin ve tüm yüzeyin kaplanmasını sağlayın
Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci: 1600°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda kararlı
Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında CVD kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
Korozyon direnci: yüksek sertlik, yoğun yüzey ve ince parçacıklar.
Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
- En iyi laminer gaz akış modelini elde edin
- Termal profilin düzgünlüğünü garanti eder
- Herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önleyin