SiC kaplı grafit tepsi

Epitaksiyel ekipmanın birincil bileşeni olarak,SiC kaplı grafit tepsi, epitaksiyel katman büyümesinin üretim verimliliğini, tekdüzeliğini ve kusur oranını doğrudan etkiler.    

Grafit saflaştırma, hassas işleme ve temizleme işlemi sayesinde, grafit alt tabakanın yüzeyi mükemmel düzlük ve pürüzsüzlük elde edebilir ve parçacık kontaminasyonu riskini başarılı bir şekilde önleyebilir. Kimyasal buhar biriktirme yoluyla, grafit alt katmanın yüzeyi reaktif gazla kimyasal reaksiyona girerek yoğun, gözeneksiz ve eşit kalınlıkta silisyum karbür (SiC) kaplama oluşturur. Alt tabakanın hazırlanmasından kaplama işlemine kadar tüm üretim süreci, yarı iletkenlere uygun temizlik standartlarını karşılayan Sınıf 100 temiz odada gerçekleştirilir.

Yüksek saflıkta, düşük saflıkta grafit ve SiC malzemelerden yapılmış SiC kaplı grafit tepsi, mükemmel termal iletkenliğe ve düşük termal genleşme katsayısına sahiptir. Bu, epitaksiyel katmanın büyüme kalitesini artırmak için SiC kaplı grafit tepsinin ısıyı hızlı ve eşit bir şekilde aktarmasını sağlamakla kalmaz, aynı zamanda termal stres nedeniyle kaplamanın dökülmesi veya çatlaması riskini de etkili bir şekilde azaltır. Ayrıca homojen ve yoğun SiC kaplama, yüksek sıcaklıklara, oksidasyona ve korozyona karşı dayanıklı olup, yüksek sıcaklık ve aşındırıcı gaz koşullarında uzun süre stabil çalışma sağlar.

SiC kaplı grafit tepsi, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) ekipmanıyla daha yüksek uyumluluğa sahiptir. Farklı proses parametrelerine ve ekipman gereksinimlerine uyum sağlayacak şekilde titizlikle boyutlandırılmış ve tasarlanmıştır. Semicorex, SiC kaplı grafit tepsinin farklı boyutları, kaplama kalınlıkları ve yüzey pürüzlülüğüne ilişkin gereksinimlerini tam olarak karşılamak için değerli müşterilerimize profesyonel özel hizmetler sunmakta her zaman ısrar etmektedir.