SiC kaplı Grafit Potalar

Yüksek sıcaklıkta kristal büyütme fırınlarının merkezine monte edilir,SiC kaplıGrafit potalar, komple termal alan sistemini oluşturmak için ısıtıcılar, ısı yalıtım manşonları, akış kılavuzu tüpleri ve pota milleri ile birlikte çalışır. Bu termal alan sistemi, kristal büyümesi için gerekli olan stabil bir yüksek sıcaklık ortamını koruyabilir.

SiC kaplı üretimgrafit potalargenellikle yoğun bir maddenin eşit şekilde biriktirilmesi için gelişmiş kimyasal buhar biriktirme teknolojisinin kullanılmasıyla başlar.silisyum karbüroluşturulan grafit substratın yüzeyinde kaplama. Yüksek saflıkta oluşangrafitSubstrat ve yoğun silisyum karbür kaplama, SiC kaplı grafit pota, grafitin termal iletkenliğini silisyum karbürün korozyon direnciyle birleştiren sinerjik bir yapı oluşturur.

Czochralski yöntemi kristal büyütme için evrensel endüstriyel tekniktir. Bu teknik, kristal üretimi sırasında potaya merkezkaç kuvveti uygulayacaktır. SiC kaplı grafit potaların üstün bükülme mukavemeti ve sağlamlığı, yüksek hızlı dönüş sırasında kırılmayı veya çatlamayı önleyebilir ve pota hasarının neden olduğu üretim kesintilerini etkili bir şekilde azaltabilir. Ek olarak, bu işlem sırasında potaların kısa bir süre içinde ciddi sıcaklık dalgalanmalarına maruz kalması gerekir. Olağanüstü termal şok dirençleri sayesinde SiC kaplı grafit potalar, termal strese bağlı yapısal hasarı azaltabilir, şekillerinin stabilitesini sağlayabilir ve böylece pota deformasyonunun neden olduğu kristal büyüme kusurlarını azaltabilir.

Yüksek sıcaklıklarda, SiC kaplı grafit potalar yoğun bir koruyucu silisyum karbür tabakası oluşturacaktır. Bu koruyucu katman, grafit substratı silikon buharından ve erimiş silikondan izole edebilir, böylece grafit substrat korozyonunu ve kaplamanın soyulması ile ilişkili kristal kontaminasyon risklerini en aza indirebilir. Bu nedenle Semicorex'in SiC kaplı grafit potaları, gerçek çalışma sırasında çeşitli karmaşık yüksek sıcaklıktaki korozyon ortamlarına uzun süre dayanabilir. Bu, tutarlı kristal bileşimi sağlar ve her ikisi de yüksek kaliteli yarı iletken kristallerin üretimi için gerekli olan kusur oranlarını azaltır.