Epitaksiyel Alıcı

Semicorex Epitaksiyel Susceptor, yarı iletken üretiminde epitaksiyel büyüme süreci sırasında SiC levhalarını desteklemek ve tutmak için özel olarak tasarlanmış yüksek performanslı bir bileşendir. Bu gelişmiş tutucu, yüksek sıcaklıktaki epitaksi işlemlerinin zorlu koşulları altında olağanüstü performans sağlayan Silisyum Karbür (SiC) tabakasıyla kaplanmış, yüksek kaliteli bir grafit tabandan yapılmıştır. SiC kaplama, malzemenin termal iletkenliğini, mekanik mukavemetini ve kimyasal direncini artırarak yarı iletken levha işleme uygulamalarında üstün stabilite ve güvenilirlik sağlar.

Temel Özellikler

• Yüksek Isı İletkenliği:SiC kaplı grafit malzeme, epitaksiyel işlem sırasında levha boyunca eşit sıcaklık dağılımını korumak için gerekli olan mükemmel termal iletkenlik sunar. Bu, alt tabaka üzerindeki SiC katmanlarının optimum şekilde büyümesini sağlayarak termal değişimleri azaltır ve proses tutarlılığını artırır.
• Üstün Dayanıklılık:SiC kaplama, termal şoka ve mekanik aşınmaya karşı direnci önemli ölçüde artırarak suseptör ömrünü uzatır. Bu, bileşenin bozulmadan yüksek ve düşük sıcaklıklar arasında sürekli döngüye dayanması gereken yüksek sıcaklıklı ortamlarda kritik öneme sahiptir.
• Geliştirilmiş Kimyasal Direnç:SiC kaplama, özellikle epitaksiyel işlemlerde yaygın olarak görülen reaktif gazların ve yüksek sıcaklıkların varlığında kimyasal korozyona karşı olağanüstü direnç sağlar. Bu, sensörün güvenilirliğini artırarak en zorlu yarı iletken üretim ortamlarında kullanılmasını sağlar.
• Boyutsal Kararlılık:SiC kaplama, yüksek sıcaklıklarda bile mükemmel boyutsal stabiliteye katkıda bulunarak bükülme veya deformasyon riskini azaltır. Bu özellik, tutucunun uzun süreli kullanımda şeklini ve mekanik özelliklerini korumasını sağlayarak tutarlı ve güvenilir levha kullanımı sağlar.
• Hassasiyet ve Tekdüzelik:Epitaksiyel Suseptör, epitaksiyel işlem sırasında yanlış hizalamayı önleyerek hassas levha yerleşimini ve hizalamasını korumak için tasarlanmıştır. Bu hassasiyet, son yarı iletken cihazın performansı için gerekli olan SiC katmanlarının büyümesinde eşitliği sağlar.
• Özelleştirilebilirlik:Epitaksiyel Süseptör, boyut, şekil ve tutulacak plaka sayısı gibi özel müşteri gereksinimlerini karşılayacak şekilde uyarlanabilir ve bu da onu çok çeşitli epitaksiyel reaktörler ve işlemler için uygun hale getirir.

Yarı İletken Endüstrisindeki Uygulamalar

SiC kaplamalı Epitaksiyel Süseptör, özellikle yüksek güçlü, yüksek sıcaklık ve yüksek voltajlı yarı iletken cihazlarda kullanılan SiC levhalar için, epitaksiyel büyüme sürecinde hayati bir rol oynar. Epitaksiyel büyüme süreci, kontrollü koşullar altında bir substrat levhası üzerine ince bir malzeme tabakasının (genellikle SiC) biriktirilmesini içerir. Süseptör'ün rolü, bu işlem sırasında levhayı desteklemek ve yerinde tutmak, kimyasal buhar biriktirme (CVD) gazlarına veya büyüme için kullanılan diğer öncü malzemelere bile maruz kalmayı sağlamaktır.

SiC substratları, performanstan ödün vermeden yüksek voltaj ve sıcaklık gibi aşırı koşullara dayanabilme yetenekleri nedeniyle yarı iletken endüstrisinde giderek daha fazla kullanılmaktadır. Epitaksiyel Suseptör, tipik olarak 1.500°C'yi aşan sıcaklıklarda gerçekleştirilen epitaksi işlemi sırasında SiC levhalarını desteklemek üzere tasarlanmıştır. Süseptör üzerindeki SiC kaplama, geleneksel malzemelerin hızla bozunacağı bu tür yüksek sıcaklıklı ortamlarda sağlam ve verimli kalmasını sağlar.

Epitaksiyel Süseptör, yüksek verimli diyotlar, transistörler ve elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan diğer güç yarı iletken cihazları gibi SiC güç cihazlarının üretiminde kritik bir bileşendir. Bu cihazlar, optimum performans için yüksek kaliteli, hatasız epitaksiyel katmanlara ihtiyaç duyar ve Epitaksiyel Suseptör, sabit sıcaklık profillerini koruyarak ve büyüme süreci sırasında kontaminasyonu önleyerek bunu başarmaya yardımcı olur.

Diğer Malzemelere Göre Avantajları

Çıplak grafit veya silikon bazlı suseptörler gibi diğer malzemelerle karşılaştırıldığında SiC kaplamalı Epitaksiyel Suseptör üstün termal yönetim ve mekanik bütünlük sunar. Grafit iyi bir termal iletkenlik sağlarken, yüksek sıcaklıklarda oksidasyona ve aşınmaya karşı duyarlılığı zorlu uygulamalardaki etkinliğini sınırlayabilir. Ancak SiC kaplama yalnızca malzemenin termal iletkenliğini geliştirmekle kalmıyor, aynı zamanda yüksek sıcaklıklara ve reaktif gazlara uzun süre maruz kalmanın yaygın olduğu epitaksiyel büyüme ortamının zorlu koşullarına dayanabilmesini de sağlıyor.

Ayrıca SiC kaplı tutucu, levha yüzeyinin kullanım sırasında bozulmadan kalmasını sağlar. Bu, genellikle yüzey kirliliğine karşı oldukça hassas olan SiC levhalarla çalışırken özellikle önemlidir. SiC kaplamanın yüksek saflığı ve kimyasal direnci, kirlenme riskini azaltarak, büyüme süreci boyunca levhanın bütünlüğünü sağlar.

SiC kaplamalı Semicorex Epitaksiyel Süseptör, yarı iletken endüstrisi için, özellikle de epitaksiyel büyüme sırasında SiC levha işlemeyi içeren işlemler için vazgeçilmez bir bileşendir. Üstün termal iletkenliği, dayanıklılığı, kimyasal direnci ve boyutsal kararlılığı, onu yüksek sıcaklıktaki yarı iletken üretim ortamları için ideal bir çözüm haline getirir. Süseptörün özel ihtiyaçları karşılayacak şekilde özelleştirilebilmesi sayesinde, güç cihazları ve diğer gelişmiş yarı iletken uygulamalar için yüksek kaliteli SiC katmanlarının geliştirilmesinde hassasiyet, tekdüzelik ve güvenilirlik sağlar.