Gravür ve Kazınmış Morfoloji

Yarı iletken çip üretim sürecinde, bir pirinç tanesinin üzerine gökdelen inşa etmeye benziyoruz. Litografi makinesi bir şehir planlamacısına benzer; levha üzerine binanın planını çizmek için "ışığı" kullanır; Gravür ise, kanalları, delikleri ve çizgileri plana göre doğru bir şekilde oymaktan sorumlu, hassas aletlere sahip bir heykeltıraş gibidir. Bu "kanalların" kesitlerini dikkatlice incelerseniz şekillerinin tekdüze olmadığını göreceksiniz; bazıları yamuk şeklindedir (üstte daha geniş ve altta daha dar), diğerleri ise mükemmel dikdörtgenlerdir (dikey yan duvarlar). Bu şekiller keyfi değildir; bunların arkasında, çipin performansını doğrudan belirleyen, fiziksel ve kimyasal prensiplerin karmaşık bir etkileşimi yatıyor.

I. Aşındırmanın Temel Prensipleri: Fiziksel ve Kimyasal Etkilerin Bir Kombinasyonu

Basitçe söylemek gerekirse aşındırma, fotorezist tarafından korunmayan malzemenin seçici olarak çıkarılmasıdır. Esas olarak iki kategoriye ayrılır:

1. Islak Aşındırma: Aşındırma için kimyasal çözücüler (asit ve alkaliler gibi) kullanılır. Bu esasen tamamen kimyasal bir reaksiyondur ve aşındırma yönü izotropiktir; yani tüm yönlerde (ön, arka, sol, sağ, yukarı, aşağı) aynı hızda ilerler.

Oluşum Prensibi: Fiziksel bombardıman daha zayıfken, kimyasal aşındırma prosese hakim olduğunda aşağıdakiler meydana gelir: Aşındırma yalnızca aşağı doğru ilerlemekle kalmaz, aynı zamanda fotorezist maskesinin altındaki alanı ve açıkta kalan yan duvarları yanal olarak da aşındırır. Bu, korunan maskenin altındaki malzemenin kademeli olarak "oyulması"na ve üstte daha geniş, altta daha dar, yani yamuk şeklinde eğimli bir yan duvar oluşmasına neden olur.

Kuru aşındırma, "fiziksel saldırı" ve "kimyasal saldırıyı" esnek bir şekilde birleştirebildiği için tam olarak çeşitli şekiller oluşturabilir:

Kimyasal Bileşimi: Aktif serbest radikallerden sorumludur. Bunlar, levhanın yüzey malzemesiyle kimyasal olarak reaksiyona girerek uçucu ürünler üretir ve bunlar daha sonra uzaklaştırılır. Bu saldırı izotropiktir ve "sıkılmasına" ve yanal olarak aşındırılmasına ve kolayca yamuk şekiller oluşturmasına olanak tanır.

Fiziksel bileşim: Bir elektrik alanıyla hızlandırılan pozitif yüklü yüksek enerjili iyonlar, levha yüzeyini dik olarak bombardıman eder. Bir yüzeyi kumlamaya benzer şekilde, bu "iyon bombardımanı" anizotropiktir, öncelikle dikey olarak aşağıya doğru ve yan duvarları "düz bir çizgide" kesebilir.

II. İki Klasik Profilin Şifresini Çözmek: Yamuk ve Dikdörtgen Profillerin Doğuşu

1. Trapezoid (Konik Profil) – Öncelikle Kimyasal Saldırı

Oluşum Prensibi: Fiziksel bombardıman daha zayıfken, kimyasal aşındırma prosese hakim olduğunda aşağıdakiler meydana gelir: Aşındırma yalnızca aşağı doğru ilerlemekle kalmaz, aynı zamanda fotorezist maskesinin altındaki alanı ve açıkta kalan yan duvarları yanal olarak da aşındırır. Bu, korunan maskenin altındaki malzemenin kademeli olarak "oyulması"na ve üstte daha geniş, altta daha dar, yani yamuk şeklinde eğimli bir yan duvar oluşmasına neden olur.

İyi Adım Kaplaması: Sonraki ince film biriktirme işlemlerinde yamuğun eğimli yapısı, dik köşelerde kırılmaları önleyerek malzemelerin (metaller gibi) eşit şekilde kaplanmasını kolaylaştırır.

Daha Az Stres: Eğimli yapı, stresi daha iyi dağıtarak cihazın güvenilirliğini artırır.

Yüksek Süreç Toleransı: Uygulanması nispeten kolaydır.

2. Dikdörtgen (Dikey Profil) – Öncelikle Fiziksel Saldırı

Oluşum Prensibi: Süreçte fiziksel iyon bombardımanı hakim olduğunda ve kimyasal bileşim dikkatle kontrol edildiğinde dikdörtgen bir profil oluşturulur. Sayısız küçük mermi gibi yüksek enerjili iyonlar, levha yüzeyini neredeyse dikey olarak bombalayarak son derece yüksek dikey aşındırma hızlarına ulaşır. Eş zamanlı olarak iyon bombardımanı, yan duvarlar üzerinde bir "pasivasyon katmanı" (örneğin, yan ürünlerin aşındırılmasıyla oluşturulan) oluşturur; Bu koruyucu film, kimyasal serbest radikallerin neden olduğu yanal korozyona etkili bir şekilde direnç gösterir. Sonuçta, gravür yalnızca dikey olarak aşağıya doğru ilerleyerek neredeyse 90 derecelik yan duvarlara sahip dikdörtgen bir yapı oluşturabiliyor.

Gelişmiş üretim süreçlerinde transistör yoğunluğu son derece yüksektir ve alan son derece değerlidir.

En yüksek doğruluk: Fotolitografik planla maksimum tutarlılığı koruyarak cihazın kritik boyutlarının (CD) doğru olmasını sağlar.

Alandan tasarruf sağlar: Dikey yapılar, çiplerin minyatürleştirilmesinin anahtarı olarak cihazların minimum ayak iziyle üretilmesine olanak tanır.

Semicorex hassasiyet sunuyorCVD SiC bileşenlerigravürde. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

İletişim telefonu numarası +86-13567891907

E-posta: sales@semicorex.com