Silisyum Karbür Güç Cihazlarına Giriş

Silisyum karbür (SiC)güç cihazları, esas olarak yüksek frekans, yüksek sıcaklık, yüksek voltaj ve yüksek güçlü elektronik uygulamalarda kullanılan, silisyum karbür malzemelerden yapılmış yarı iletken cihazlardır. Geleneksel silikon (Si) bazlı güç cihazlarıyla karşılaştırıldığında, silisyum karbür güç cihazları daha yüksek bant aralığı genişliğine, daha yüksek kritik arıza elektrik alanına, daha yüksek termal iletkenliğe ve daha yüksek doymuş elektron sürüklenme hızına sahiptir; bu da onları alanda büyük bir geliştirme potansiyeline ve uygulama değerine sahip kılar. güç elektroniği alanında.

SiC güç cihazlarının avantajları

1. Yüksek bant aralığı: SiC'nin bant aralığı, silikonun üç katı olan yaklaşık 3,26eV'dir; bu, SiC cihazlarının daha yüksek sıcaklıklarda kararlı bir şekilde çalışmasını sağlar ve yüksek sıcaklıktaki ortamlardan kolayca etkilenmez.

2. Yüksek arıza elektrik alanı: SiC'nin arıza elektrik alanı gücü, silikonun on katıdır; bu, SiC cihazlarının daha yüksek voltajlara arıza olmadan dayanabileceği anlamına gelir, bu da onları yüksek voltaj uygulamaları için çok uygun kılar.

3. Yüksek termal iletkenlik: SiC'nin termal iletkenliği silikonunkinden üç kat daha yüksektir, bu da daha verimli ısı dağılımına olanak tanır, böylece güç cihazlarının güvenilirliğini ve ömrünü artırır.

4. Yüksek elektron sürüklenme hızı: SiC'nin elektron doygunluğu sürüklenme hızı silikonun iki katıdır, bu da SiC cihazlarının yüksek frekanslı uygulamalarda daha iyi performans göstermesini sağlar.

Silisyum karbür güç cihazlarının sınıflandırılması

Farklı yapı ve uygulamalara göre silisyum karbür güç cihazları aşağıdaki kategorilere ayrılabilir:

1. SiC diyotlar: esas olarak Schottky diyotları (SBD) ve PIN diyotlarını içerir. SiC Schottky diyotlar, yüksek frekanslı ve yüksek verimli güç dönüştürme uygulamaları için uygun, düşük ileri voltaj düşüşü ve hızlı iyileşme özelliklerine sahiptir.

2. SiC MOSFET: Düşük direnç ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahip, voltaj kontrollü bir güç cihazıdır. İnvertörlerde, elektrikli araçlarda, anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

3. SiC JFET: Yüksek gerilim ve yüksek frekanslı güç dönüştürme uygulamalarına uygun, yüksek dayanım gerilimi ve yüksek anahtarlama hızı özelliklerine sahiptir.

4. SiC IGBT: MOSFET'in yüksek giriş empedansını ve BJT'nin düşük direnç özelliklerini birleştirir; orta ve yüksek gerilim güç dönüşümü ve motor sürücüsü için uygundur.

Silisyum Karbür Güç Cihazlarının Uygulamaları

1. Elektrikli Araçlar (EV): Elektrikli araçların tahrik sisteminde SiC cihazları, motor kontrolörlerinin ve invertörlerin verimliliğini büyük ölçüde artırabilir, güç kaybını azaltabilir ve sürüş menzilini artırabilir.

2. Yenilenebilir Enerji: Güneş ve rüzgar enerjisi üretim sistemlerinde, enerji dönüşüm verimliliğini artırmak ve sistem maliyetlerini azaltmak amacıyla invertörlerde SiC güç cihazları kullanılmaktadır.

3. Endüstriyel Güç Kaynağı: Endüstriyel güç kaynağı sistemlerinde SiC cihazları güç yoğunluğunu ve verimliliğini artırabilir, hacmi ve ağırlığı azaltabilir ve sistem performansını iyileştirebilir.

4. Güç Şebekesi ve İletim ve Dağıtım: Yüksek voltajlı doğru akım iletiminde (HVDC) ve akıllı şebekelerde, SiC güç cihazları dönüşüm verimliliğini artırabilir, enerji kaybını azaltabilir ve güç iletiminin güvenilirliğini ve kararlılığını artırabilir.

5. Havacılık: Havacılık alanında, SiC cihazları yüksek sıcaklık ve yüksek radyasyonlu ortamlarda stabil şekilde çalışabilir ve uydular ve güç yönetimi gibi önemli uygulamalar için uygundur.

Semicorex yüksek kalite sunuyorSilisyum Karbür gofretler. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

İletişim telefonu numarası +86-13567891907

E-posta: sales@semicorex.com