MOCVD için Gofret Taşıyıcı

Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirmenin (MOCVD) kesin ihtiyaçları için hazırlanmış MOCVD için Semicorex Gofret Taşıyıcı, yüksek ölçekli entegre devreler için tek kristal Si veya SiC'nin işlenmesinde vazgeçilmez bir araç olarak ortaya çıkıyor. MOCVD bileşimi için Gofret Taşıyıcı, benzersiz bir saflığa, yüksek sıcaklıklara ve aşındırıcı ortamlara karşı dirence ve bozulmamış bir atmosferi korumak için üstün sızdırmazlık özelliklerine sahiptir. Semicorex olarak kendimizi MOCVD için kaliteyi maliyet verimliliğiyle birleştiren yüksek performanslı Gofret Taşıyıcıları üretmeye ve tedarik etmeye adadık.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

MOCVD'ye yönelik Semicorex Plaka Taşıyıcısı, MOCVD uygulamalarına yönelik gelişmiş tasarımı, yarı iletken plakaları barındıracak şekilde ustalıkla tasarlanmış, güvenli bir temel görevi görür. Düzgün malzeme katmanlaması için gazların optimum dağılımını kolaylaştırmanın yanı sıra levhalar üzerinde sıkı bir tutuş sağlayan optimize edilmiş bir tasarım sunar. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) yoluyla Silisyum Karbür (SiC) kaplamayla zenginleştirilen MOCVD için Wafer Taşıyıcı, grafitin esnekliğini CVD SiC'nin yüksek sıcaklıklara dayanıklılık, ihmal edilebilir bir termal genleşme katsayısına sahip olma ve eşitlenmiş ısı dağılımını destekleme özellikleriyle birleştirir. Bu denge, levhaların yüzey sıcaklığının bütünlüğünün korunmasında çok önemlidir.

Korozyon önleme, kimyasal dayanıklılık ve dolayısıyla daha uzun bir çalışma ömrü gibi özelliklere sahip olan MOCVD için Wafer Taşıyıcı, levhaların hem kalibresini hem de verimini önemli ölçüde artırır. Dayanıklılığı, MOCVD için Wafer Taşıyıcıyı yarı iletken üretim operasyonlarınız için akıllıca bir satın alma seçeneği olarak konumlandırarak doğrudan ekonomik fayda sağlar.

Gofretlerin epitaksiyel prosedürleri için titizlikle tasarlanmış olan MOCVD için Semicorex Gofret Taşıyıcı, gofretlerin yüksek sıcaklık fırınlarında güvenli bir şekilde taşınmasında mükemmeldir. Dayanıklı çerçevesi, levhaların sağlam kalmasını sağlar ve böylece kritik epitaksiyel büyüme aşamaları sırasında hasar eğilimini azaltır.**