Silisyum Karbür (SiC) Yüzeylerin Temel Parametreleri

Kafes Parametreleri:Substratın kafes sabitinin, büyütülecek epitaksiyel tabakanın kafes sabitiyle eşleşmesini sağlamak, kusurları ve stresi en aza indirmek için çok önemlidir.

İstifleme Sırası:Makroskobik yapısıSiC1:1 oranında silikon ve karbon atomlarından oluşur. Bununla birlikte, farklı atomik katman düzenlemeleri, çeşitli kristal yapılarla sonuçlanır. Öyleyse,SiCgibi çok sayıda politip sergiler3C-SiC, 4H-SiC ve 6H-SiCsırasıyla ABC, ABCB, ABCACB gibi istifleme dizilerine karşılık gelir.

Mohs Sertliği:Alt tabakanın sertliğinin belirlenmesi, işleme kolaylığını ve aşınma direncini etkilediği için önemlidir.

Yoğunluk:Yoğunluk, malzemenin mekanik mukavemetini ve termal özelliklerini etkiler.alt tabaka.

Termal Genleşme Katsayısı:Bu, hangi oranda olduğunu ifade eder.alt tabakaSıcaklık bir santigrat derece arttığında uzunluğu veya hacmi orijinal boyutlarına göre artar. Alt tabakanın ve epitaksiyel katmanın termal genleşme katsayılarının sıcaklık değişimleri altındaki uyumluluğu, cihazın termal stabilitesini etkiler.

Kırılma indeksi:Optik uygulamalar için kırılma indisi, optoelektronik cihazların tasarımında kritik bir parametredir.

Dielektrik sabiti:Bu, cihazın kapasitif özelliklerini etkiler.

Termal iletkenlik:Yüksek güç ve yüksek sıcaklık uygulamaları için çok önemli olan termal iletkenlik, cihazın soğutma verimliliğini etkiler.

Bant boşluğu:Bant aralığı, yarı iletken malzemelerde değerlik bandının üst kısmı ile iletim bandının alt kısmı arasındaki enerji farkını temsil eder. Bu enerji farkı, elektronların valans bandından iletim bandına geçip geçemeyeceğini belirler. Geniş bant aralıklı malzemeler elektron geçişlerini uyarmak için daha fazla enerji gerektirir.

Arıza Elektrik Alanı:Bu, yarı iletken bir malzemenin dayanabileceği maksimum voltajdır.

Doygunluk Kayma Hızı:Bu, bir yarı iletken malzemede yük taşıyıcılarının bir elektrik alanına maruz kaldığında ulaşabileceği maksimum ortalama hızı ifade eder. Elektrik alan kuvveti belirli bir dereceye kadar arttığında, alandaki daha fazla artışla birlikte taşıyıcı hızı artık artmaz ve doyma sürüklenme hızı olarak bilinen hıza ulaşır.**

Semicorex, SiC Yüzeyler için yüksek kaliteli bileşenler sunar. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.