TaC Kaplama

TaC seramikleri 3880°C kadar yüksek bir erime noktasına, yüksek sertliğe (Mohs sertliği 9-10), büyük termal iletkenliğe (22W·m) sahiptir.^-1·K⁻¹), büyük eğilme mukavemeti (340-400MPa) ve küçük termal genleşme katsayısı (6,6×10^-6K-1) ve mükemmel termokimyasal stabilite ve mükemmel fiziksel özellikler sergilerler, bu nedenle TaC kaplamaları havacılık termal korumasında yaygın olarak kullanılır ve grafit ve C/C kompozitleri iyi kimyasal uyumluluğa ve mekanik uyumluluğa sahiptir. ) ve mükemmel termokimyasal stabilite ve mükemmel fiziksel özellikler gösterirler ve grafit ve C/C kompozitleri iyi kimyasal uyumluluğa ve mekanik uyumluluğa sahiptir, bu nedenle TaC kaplamaları havacılıkta termal koruma, tek kristal büyütme, enerji ve elektronik ve tıbbi cihazlarda yaygın olarak kullanılır. vb. TaC kaplı grafit, çıplak grafit veya SiC kaplı grafitten daha iyi bir kimyasal dirence sahiptir ve 2600° yüksek sıcaklıkta stabil olarak kullanılabilir. 2600 ° yüksek sıcaklık stabilitesi ve birçok metal element reaksiyona girmez, kaplamanın en iyi performansında üçüncü nesil yarı iletken tek kristal büyüme ve levha aşındırma senaryolarıdır, sıcaklık ve safsızlık kontrolü sürecini önemli ölçüde iyileştirebilir, yüksek hazırlık -kaliteli silisyum karbür levhalar ve ilgili epitaksiyel levha. GaN veya AlN tek kristallerini büyütmek için MOCVD ekipmanı ve SiC tek kristallerini büyütmek için PVT ekipmanı için özellikle uygundur ve büyütülen tek kristallerin kalitesi önemli ölçüde artar.

Araştırma sonuçlarına göre;TaC kaplama, grafit bileşenin ömrünü uzatmak, radyal sıcaklık tekdüzeliğini geliştirmek, SiC süblimasyon stokiyometrisini korumak, yabancı madde geçişini bastırmak ve enerji tüketimini azaltmak için bir koruma ve izolasyon katmanı görevi görebilir. Sonuçta TaC kaplı bir grafit pota setinin SiC PVT proses kontrolünü ve ürün kalitesini iyileştirmesi bekleniyor.