SiC Gofret Tekneleri

Silisyum Karbür (SiC) seramiğinden üretilen Semicorex SiC Gofret Teknesi, yüksek sıcaklıktaki ortamlarda benzersiz performans sunarak yarı iletken endüstrisinin taleplerini karşılamada öncülük ediyor. Yarı iletken endüstrisi mikrofabrikasyonun sınırlarını durmaksızın zorlarken, esnek ve sağlam malzemelere olan talep çok önemli hale geliyor.

SiC Gofret Teknesi, difüzyon, oksidasyon ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) gibi termal işlemler sırasında birden fazla gofretin tutulması ve desteklenmesinde çok önemli bir rol oynar. Bu işlemler, levhaların kontrollü bir atmosferde genellikle 1000°C'yi aşan son derece yüksek sıcaklıklara maruz bırakılmasını içerir. Bu ısıl işlemlerin tekdüzeliği ve tutarlılığı, üretilen yarı iletken cihazların kalitesini ve performansını sağlamak için kritik öneme sahiptir. SiC Gofret Teknesinin bu kadar yüksek sıcaklıklara deformasyon veya bozulma olmadan dayanma yeteneği, gofretlerin eşit şekilde işlenmesini sağlayarak üstün cihaz verimi ve performansına yol açar.

SiC levha teknelerinin olağanüstü termal iletkenliği, tüm levhalar arasında eşit ısı dağılımını garanti ederek yarı iletken cihazlarda kusurlara yol açabilecek sıcaklık değişimleri riskini en aza indirir. Ayrıca SiC'nin düşük termal genleşme katsayısı (CTE), ısıtma ve soğutma çevrimleri sırasında minimum termal genleşme ve büzülmeye neden olur. Bu stabilite, özellikle küçülen cihaz geometrilerinde, mekanik stresi ve levhalara gelebilecek potansiyel hasarı önlemek için çok önemlidir.

Termal işlemler sırasında levhalar, SiC levha teknesinin malzemeleriyle etkileşime girebilecek çeşitli reaktif gazlara maruz kalır. SiC'nin mükemmel kimyasal direnci, bu gazlarla reaksiyona girmemesini sağlayarak kirlenmeyi önler ve levhaların saflığını sağlar. Bu, özellikle eser miktardaki kirliliğin bile kusurlara yol açabileceği ve cihaz güvenilirliğini azaltabileceği gelişmiş yarı iletken cihazların üretiminde çok önemlidir.