SiC Gofret Tepsisi

Semicorex SiC Gofret Tepsisi, epitaksiyel katman biriktirmenin temel adımı sırasında yarı iletken plakaları desteklemek ve ısıtmak için titizlikle tasarlanmış, Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) sürecinde hayati bir varlıktır. Bu tepsi, katman büyümesinin hassasiyetinin son derece önemli olduğu yarı iletken cihaz imalatının ayrılmaz bir parçasıdır. Semicorex olarak biz, kaliteyi maliyet verimliliğiyle birleştiren yüksek performanslı SiC Gofret Tepsisi üretmeye ve tedarik etmeye kendimizi adadık.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

MOCVD aparatında önemli bir unsur olarak işlev gören Semicorex SiC Gofret Tepsisi, tek kristal substratları tutar ve termal olarak yönetir. Üstün termal stabilite ve homojenliğin yanı sıra korozyon önleme ve benzeri olağanüstü performans özellikleri, epitaksiyel malzemelerin yüksek kalitede büyütülmesi için çok önemlidir. Bu özellikler, ince film katmanlarında tutarlı bir tekdüzelik ve saflık sağlar.

SiC kaplamayla zenginleştirilen SiC gofret tepsisi, ısı iletkenliğini önemli ölçüde artırarak, tekdüze epitaksiyel büyüme için hayati önem taşıyan hızlı ve eşit ısı dağılımını kolaylaştırır. SiC gofret tepsisinin ısıyı verimli bir şekilde emme ve yayma yeteneği, ince filmlerin hassas şekilde biriktirilmesi için gerekli olan sabit ve tutarlı bir sıcaklığı korur. Bu tekdüze sıcaklık dağılımı, gelişmiş yarı iletken cihazların performansı için gerekli olan yüksek kaliteli epitaksiyel katmanların üretilmesi açısından kritik öneme sahiptir.

SiC Gofret Tepsisinin güvenilir performansı ve uzun ömürlülüğü, değiştirme sıklığını azaltarak arıza süresini ve bakım maliyetlerini en aza indirir. Sağlam yapısı ve üstün operasyonel yetenekleri süreç verimliliğini artırır, böylece yarı iletken üretiminde üretkenliği ve maliyet etkinliğini artırır.

Ek olarak Semicorex SiC Gofret Tepsisi, yüksek sıcaklıklarda oksidasyona ve korozyona karşı mükemmel direnç göstererek dayanıklılığını ve güvenilirliğini daha da artırır. Önemli bir erime noktasıyla işaretlenen yüksek termal dayanıklılığı, yarı iletken üretim süreçlerinde doğal olan zorlu termal koşullara dayanabilmesini sağlar.