Pota Destek Tepsisi

Yüksek sıcaklıkta yarı iletken üretiminde stabilite ve hassasiyet, tutarlı kristal kalitesinin sağlanması açısından kritik öneme sahiptir. Semicorex Pota Destek Tepsisi, aşırı termal ve mekanik koşullar altında güvenilir bir temel sağlayarak kristal büyüme sürecinin bütünlüğünü korumada hayati ancak sıklıkla gözden kaçırılan bir rol oynar.

Pota Destek Tepsisi olarak da bilinirkarbon/karbon (C/C)Pota tutucu, tek kristal silikonun büyütülmesi sırasında kuvars veya grafit potaları desteklemek için özel olarak tasarlanmıştır. Termal alanın tabanına konumlandırılan bu bileşenin, yapısal bütünlüğü ve boyutsal stabiliteyi korurken, uzun süre yüksek sıcaklıklara maruz kalmaya dayanması gerekir. Sağlam tasarımı, potanın süreç boyunca güvenli bir şekilde konumlandırılmasını sağlayarak kristal kalitesini olumsuz etkileyebilecek titreşimi, deformasyonu veya yanlış hizalamayı en aza indirir.

C/C Destek Tepsisinin Rolü

Monokristal silisyumun büyümesi sırasında sıcaklıklar genellikle 1400°C'yi aşar. Geleneksel grafit malzemeler kullanışlı olsalar da çoğu zaman kullanım ömrü ve erimiş silikonun ağır ağırlığı altında deformasyonla ilgili zorluklarla karşı karşıya kalırlar. C/C Kompozit Pota Destek Tepsimiz bu sıkıntılı noktaları çözer.

Yüksek mukavemetli karbon fiber takviyeli matris kullanan bu tepsi, "sıfıra yakın" bir termal genleşme profili ve olağanüstü yük taşıma kapasitesi sunar. Erime türbülansını ve kristal kusurlarını önlemek için mükemmel bir düzlemi koruyarak pota ile dönen şaft arasında arayüz görevi görür.

Teknik Özellikler ve Malzeme Mükemmelliği

Yoğunluk: ≥ 1,3 g/cm³

Eğilme Dayanımı: ≥ 110 MPa

Termal Genleşme Katsayısı (CTE): ≤ 1,0 × 10⁻⁶ /K

Basınç Dayanımı: ≥ 160 MPa