RTP/RTA SiC Kaplama Taşıyıcı

Semicorex RTP/RTA SiC Kaplama Taşıyıcısı, biriktirme ortamının en zorlu koşullarına dayanacak şekilde tasarlanmıştır. Yüksek ısı ve korozyon direncine sahip bu ürün, epitaksiyel büyüme için optimum performansı sağlayacak şekilde tasarlanmıştır. SiC kaplı taşıyıcı, yüksek termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahip olup RTA, RTP veya sert kimyasal temizleme için güvenilir performans sağlar.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

MOCVD Epitaksiyel Büyüme için RTP/RTA SiC Kaplama Taşıyıcımız, levha işleme ve epitaksiyel büyüme işleme için mükemmel çözümdür. Pürüzsüz yüzeyi ve kimyasal temizlemeye karşı yüksek dayanıklılığı ile bu ürün, zorlu çökelme ortamlarında güvenilir performans sunar.
RTP/RTA SiC kaplama taşıyıcımızın malzemesi çatlakları ve katmanlara ayrılmayı önleyecek şekilde tasarlanmıştır; üstün ısı direnci ve termal tekdüzelik ise RTA, RTP veya sert kimyasal temizlik için tutarlı performans sağlar.
RTP/RTA SiC kaplama taşıyıcımız hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın

RTP/RTA SiC Kaplama Taşıyıcısının Parametreleri

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J kg-1 K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300

RTP/RTA SiC Kaplama Taşıyıcısının Özellikleri

Yüksek saflıkta SiC kaplı grafit
Üstün ısı direnci ve termal homojenlik
Pürüzsüz bir yüzey için ince SiC kristal kaplı
Kimyasal temizlemeye karşı yüksek dayanıklılık
Malzeme çatlama ve delaminasyon oluşmayacak şekilde tasarlanmıştır.