Silisyum Karbür (SiC) Nedir?

Yarıiletken malzemeler zaman sırasına göre üç nesle ayrılabilir. Genellikle entegre devrelerde kullanılan, uygun anahtarlama ile karakterize edilen birinci nesil germanyum, silikon ve diğer yaygın monomalzemeler. İkinci nesil galyum arsenit, indiyum fosfit ve diğer bileşik yarı iletkenler, esas olarak ışık yayan ve iletişim malzemeleri için kullanılır. Üçüncü nesil yarı iletkenler esas olarak şunları içerir:silisyum karbürgalyum nitrür ve diğer bileşik yarı iletkenler ve elmas ve diğer özel monomateryaller. Üçüncü nesil yarı iletkenler daha iyi voltaj direncine sahiptir ve yüksek güçlü cihazlar için ideal malzemelerdir. Üçüncü nesil yarı iletkenler esas olaraksilisyum karbürve galyum nitrür malzemeleri. Üçüncü nesil yarı iletkenler genellikle daha geniş bant aralığına sahip olduğundan basınç ve ısı direnci daha iyidir, genellikle yüksek güçlü cihazlarda kullanılır. Aralarında,silisyum karbürGüç cihazları alanında yavaş yavaş büyük ölçekli kullanıma girmiştir.silisyum karbürdiyotlar, MOSFET'ler ticari uygulamalara başlamıştır.

Avantajlarısilisyum karbür

1, daha güçlü yüksek voltaj özellikleri: arıza alanı gücüsilisyum karbürsilikonunkinden 10 kat daha fazladır, bu dasilisyum karbürcihazlar, silikon cihazların eşdeğer yüksek voltaj özelliklerinden önemli ölçüde daha yüksektir.

2, daha iyi yüksek sıcaklık özellikleri:silisyum karbürSilikonla karşılaştırıldığında daha yüksek bir termal iletkenliğe sahiptir, bu da cihazın ısıyı dağıtmasını kolaylaştırır, çalışma sıcaklığı sınırı daha yüksektir. Yüksek sıcaklık özellikleri, terminalin daha hafif ve minyatür olabilmesi için soğutma sisteminin gereksinimlerini azaltırken güç yoğunluğunda önemli bir artış sağlayabilir.

3, daha düşük enerji kaybı:silisyum karbürsilikonun doygunluk elektron sürüklenme hızının 2 katıdır, bu dasilisyum karbürcihazlar çok düşük direnç ve düşük durum kaybına sahiptir;silisyum karbürsilikonun yasak bant genişliğinin 3 katıdır, bu dasilisyum karbürgüç kaybını önemli ölçüde azaltmak için cihazların silikon cihazlardan daha fazla kaçak akımı;silisyum karbürKapatma işlemindeki cihazlar mevcut son olayda mevcut değildir, anahtarlama kaybı düşüktür, bu da gerçek uygulamayı büyük ölçüde iyileştirir. Uygulamanın anahtarlama frekansı büyük ölçüde geliştirildi.