Yarı iletken kuvars haç

Semicorex Semiconductor kuvars holdetleri, özellikle silikon tek kristal üretiminin kristal çekme işleminde kullanılan kuvars haçları için yarı iletken endüstrisinde sarf malzemeleridir. Temizliği, homojenliği ve ısı direncini tatmin eden ultra saflı kaynaşmış kuvarsdan üretilirler ve modern yarı iletken üretiminin yüksek taleplerini karşılamak için üretilir. Silikon Ingot spesifikasyonu için hayati önem taşırlar, çünkü özellikleri entegre devre işlemede gofret performansını ve verimi doğrudan etkiler.

Termal ve fiziksel bir bakış açısından: Kuvars haçlar ısıya çok iyi dayanabilir. Deformasyon noktası yaklaşık 1100 ° C'dir, yumuşatma noktası yaklaşık 1730 ° C'dir ve maksimum sürekli servis sıcaklığı 1100 ° C'dir, [1450 ° C'ye kadar kısa süreli maruziyet]. Bu özellikler, yüksek saflık ve termal esneklik sağlarken yüksek sıcaklıklarda kullanılabilirliğe izin verir ve bu nedenle, kontaminasyon ve deformasyonun en aza indirilmesi gereken czochralski (CZ) kristal çekme işlemleri sırasında stabiliteyi teşvik eder ve hassas termal profillerin homojen kristal büyüme elde etmek için en önemli olduğu.

Yapısal bir perspektiften, yarı iletken kuvars holdetleri, termal özellikler ve mekanik mukavemet için tasarlanmış katmanlı bir kompozit yapıdan oluşur. Başlangıç ​​(içe doğru hareket eden) katman, genel olarak, duvar kalınlığının üçte biri (yaklaşık 3-5 mm) olan ve nispeten düşük bir kabarcık içeriğine (işleme tekniğine bağlı olarak) sahip olan şeffaf bir kuvars tabakasıdır ve bu nedenle pürüzsüz bir kusursuz yüzey, molten silicon kuvars yüzeyi ile temas eder (bu, kristalin kontrolüne ve stabil koşullara katkıda bulunur).

Dış, pota deformasyon mukavemetine, daha yüksek termal stres direncine ve radyasyon homojenliği için ısı kaynağından termal yalıtıma katkıda bulunan daha yüksek bir kabarcık seviyesi ile katmanlıdır. Varlık katmanları, kristal çekme işleminde bulunan derece diferansiyel termal gradyanlarına rağmen, form ve bütünlüğü korumasına izin verir.

Modern kuvars kabukları, üretim teknolojisindeki ilerlemeler nedeniyle geleneksel iki katmanlı yapıdan daha fazla gelişmiştir. Birçok haç, üç katmanlı bir yapı kullanır-şeffaf iç tabaka, kuvars boyunca dağılmış kabarcıklar ve kabarcıklı kuvarsın dış ince bir tabakası olan şeffaf orta tabaka. Üç katmanlı yapılar daha iyi mekanik mukavemet, termal yönetim ve maliyet faydaları sunar ve ısı transfer özelliklerini iyileştirir. Ayrıca, bazı haçlar, en iç yüzeyde alkali metal iyonlarının kaplamalarını (örn. Baryum iyon çözeltileri) uygular veya oksijen içeriğini azaltmaya, saflıkları tüketmeye ve çekilen tek kristallerin genel kalitesini iyileştirmeye yardımcı olmak için spesifik katmanlarda yüksek saflık sentetik kuvars kullanır.

Yarıiletkenler için kuvars hükmünün üretilmesi, ihtiyaç duyulan saflıklarda katı kalite kontrol toleranslarında tutulması amaçlanmaktadır, bu da genellikle milyar metalik safsızlıklar başına birkaç parçadır. Hammaddeler dikkatlice seçilir ve kirleticileri gidermek için saflaştırılır. Uygun termal işlem uygulanan kaba boyutlara ve boyutsal doğruluk, mekanik mukavemet ve temizliği ele almak için yüzey tamamlanırlar. Süreç, zorlu kimyasal ortamlarda uzun süreli yüksek sıcaklık maruziyetine maruz kalırken, hükmelerin güvenilir kalacağından emin olmaya yöneliktir.

Yarıiletken üretiminde kuvars potasının performansı, silikon kristal kafesinin homojenliğini, kusur yoğunluğunu ve ingottaki oksijeni etkiler. Yüksek saflıklar ve kusursuz kuvars holdetleri, kristal kusurların çıkmasını sınırlayacak, akma hızını artıracak ve cihaz geometrilerini ilerletmek için gofret üretme yeteneğini belirleyecektir. HGH-Performance IC'lerin bir üreticisiyseniz, fotovoltaik sınıf silikon veya güç elektroniği, yüksek kaliteli kuvars haçlarını seçmek ve kullanmak, maliyet performansını oluşturmak ve optimize etmek için önemli bir unsurdur.

YarıYarı iletken kuvarsYolculuklar, herhangi bir silikon kristal çekme sistemi için önemli bir yardımcı malzemedir. Saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi ve tescilli çok katmanlı yapıların benzersiz özellikleri, bunu tutarlı ve tekrarlanabilir performans sağlarken CZ çekme işleminin zorluklarını desteklemek için uygun bir malzeme haline getirir. Yarıiletken üretimi daha yüksek entegrasyon ve daha sıkı toleranslara doğru ilerledikçe, hassas mühendislik kuvarslarının önemli katma değerli faydaları, yeni nesil elektronik teknolojilerin sağlanması ve geliştirilmesi için daha fazla önem yaratacaktır.