Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor, grafit epitaksi ve gofret işleme prosesleri için ideal çözümdür. Ultra saf ürünümüz, minimum kirlenme ve olağanüstü uzun ömürlü performans sağlayarak onu birçok Avrupa ve Amerika pazarında popüler bir seçim haline getiriyor. Çin'de yarı iletken gofret taşıyıcılarının lider sağlayıcısı olarak, uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.
Monokristal Silikon epitaksiyel Susceptörümüz, yüksek ısı ve korozyon direncine sahip, yüksek saflıkta SiC ile kaplanmış grafit bir üründür. CVD silisyum karbür kaplı taşıyıcı, yarı iletken gofretler üzerinde epitaksiyel tabaka oluşturan işlemlerde kullanılır. Verimli ve hassas yarı iletken üretim süreçleri için gerekli olan yüksek termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahiptir.
Monokristal Silikon Gofret Susceptörümüzün en önemli özelliklerinden biri mükemmel yoğunluğudur. Hem grafit substrat hem de silisyum karbür tabakası iyi bir yoğunluğa sahiptir ve yüksek sıcaklık ve aşındırıcı çalışma ortamlarında iyi bir koruyucu rol oynayabilir. Tek kristal büyümesi için kullanılan silisyum karbür kaplı suseptör, yüksek kaliteli gofret üretimini sürdürmek için gerekli olan çok yüksek bir yüzey düzlüğüne sahiptir.
Ürünümüzün bir diğer önemli özelliği de grafit alt tabaka ile silisyum karbür tabaka arasındaki ısıl genleşme katsayısı farkını azaltabilmesidir. Bu, çatlama ve delaminasyonu önleyerek, bağlanma gücünü etkili bir şekilde artırır. Ek olarak, hem grafit alt tabaka hem de silisyum karbür tabaka, yüksek termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahip olup, üretim sürecinde ısının eşit şekilde dağılmasını sağlar.
Monokristal Silikon Gofret Susceptor'umuz ayrıca yüksek sıcaklıkta oksidasyona ve korozyona karşı dirençlidir, bu da onu güvenilir ve dayanıklı bir ürün haline getirir. Yüksek erime noktası, verimli yarı iletken üretimi için gereken yüksek sıcaklık ortamına dayanabilmesini sağlar.
Sonuç olarak, Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor, grafit epitaksi ve gofret işleme süreçleri için ultra saf, dayanıklı ve güvenilir bir çözümdür. Mükemmel yoğunluğu, yüzey düzlüğü ve termal iletkenliği, onu yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda kullanım için ideal hale getirir. Rekabetçi fiyatlarla yüksek kaliteli ürünler sunmaktan gurur duyuyoruz ve tüm yarı iletken gofret taşıyıcı ihtiyaçlarınız için sizinle ortak olmayı dört gözle bekliyoruz.
Monokristal Silikon Gofret Susceptor Parametreleri
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri |
||
SiC-CVD Özellikleri |
||
Kristal yapı |
FCC β fazı |
|
Yoğunluk |
g/cm³ |
3.21 |
Sertlik |
Vickers sertliği |
2500 |
Tane büyüklüğü |
ım¼m |
2~10 |
Kimyasal Saflık |
% |
99.99995 |
Isı kapasitesi |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Süblimleşme Sıcaklığı |
℃ |
2700 |
Feleksural Mukavemet |
MPa (RT 4 noktalı) |
415 |
Youngâ s Modülü |
Gpa (4pt viraj, 1300â) |
430 |
Termal Genleşme (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termal iletkenlik |
(W/mK) |
300 |
Monokristal Silikon Gofret Susceptor'un Özellikleri
- Soyulmayı önleyin ve tüm yüzeyin kaplanmasını sağlayın
Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci: 1600°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda kararlı
Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında CVD kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
Korozyon direnci: yüksek sertlik, yoğun yüzey ve ince parçacıklar.
Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
- En iyi laminer gaz akış modelini elde edin
- Termal profilin düzgünlüğünü garanti eder
- Herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önleyin