Yüksek erime noktası, oksidasyon direnci ve korozyon direnci ile Semicorex SiC-Kaplamalı LPE Kristal Büyüme Suseptörü, tek kristal büyütme uygulamalarında kullanım için ideal seçimdir. Silisyum karbür kaplaması mükemmel düzlük ve ısı dağıtım özellikleri sunarak onu yüksek sıcaklıklı ortamlar için ideal bir seçim haline getirir.
Semicorex SiC-Coated LPE Crystal Growth Susceptor, olağanüstü termal iletkenliği ve ısı dağıtım özellikleri sayesinde yarı iletken levhalarda epiksiyal katman oluşumu için mükemmel bir seçimdir. Yüksek saflıkta SiC kaplaması, en zorlu yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda bile üstün koruma sağlar.
SiC Kaplı LPE Kristal Büyüme Susceptörümüz, termal profilin düzgünlüğünü sağlayarak en iyi laminer gaz akış modelini elde etmek için tasarlanmıştır. Bu, gofret çipinde yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme sağlayarak herhangi bir kontaminasyonu veya safsızlık difüzyonunu önlemeye yardımcı olur.
SiC Kaplı LPE Kristal Büyüme Suseptörümüz hakkında daha fazla bilgi edinmek için bugün bize ulaşın.
SiC Kaplı LPE Kristal Büyüme Susceptor Parametreleri
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri |
||
SiC-CVD Özellikleri |
||
Kristal yapı |
FCC β fazı |
|
Yoğunluk |
g/cm³ |
3.21 |
Sertlik |
Vickers sertliği |
2500 |
Tane büyüklüğü |
ım¼m |
2~10 |
Kimyasal Saflık |
% |
99.99995 |
Isı kapasitesi |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Süblimleşme Sıcaklığı |
℃ |
2700 |
Feleksural Mukavemet |
MPa (RT 4 noktalı) |
415 |
Youngâ s Modülü |
Gpa (4pt viraj, 1300â) |
430 |
Termal Genleşme (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termal iletkenlik |
(W/mK) |
300 |
SiC Kaplı LPE Kristal Büyüme Süspansiyonunun Özellikleri
- Hem grafit alt tabaka hem de silisyum karbür tabaka iyi bir yoğunluğa sahiptir ve yüksek sıcaklıkta ve aşındırıcı çalışma ortamlarında iyi bir koruyucu rol oynayabilir.
- Tek kristal büyümesi için kullanılan silisyum karbür kaplı suseptör çok yüksek yüzey düzgünlüğüne sahiptir.
- Grafit alt tabaka ile silisyum karbür katman arasındaki termal genleşme katsayısındaki farkı azaltın, çatlamayı ve delaminasyonu önlemek için bağlanma gücünü etkin bir şekilde artırın.
- Hem grafit substrat hem de silisyum karbür tabakası, yüksek bir termal iletkenliğe ve mükemmel ısı dağıtım özelliklerine sahiptir.
- Yüksek erime noktası, yüksek sıcaklık oksidasyon direnci, korozyon direnci.