Yarı iletkendeki birim: Angstrom

Angström nedir?

Angstrom (sembol: Å), öncelikle atomlar ve moleküller arasındaki mesafeler veya levha imalatındaki ince filmlerin kalınlığı gibi mikroskobik olayların ölçeğini tanımlamak için kullanılan çok küçük bir uzunluk birimidir. Bir angstrom \(10^{-10}\) metreye eşittir, bu da 0,1 nanometreye (nm) eşdeğerdir.

Bu kavramı daha sezgisel olarak açıklamak için aşağıdaki benzetmeyi düşünün: İnsan saçının çapı yaklaşık 70.000 nanometredir, bu da 700.000 Å anlamına gelir. Dünyanın çapının 1 metre olduğunu düşünürsek, 1 Å, Dünya yüzeyindeki küçük bir kum tanesinin çapına karşılık gelir.

Entegre devre üretiminde angstrom özellikle kullanışlıdır çünkü silikon oksit, silikon nitrür ve katkılı katmanlar gibi son derece ince film katmanlarının kalınlığını tanımlamanın doğru ve kullanışlı bir yolunu sağlar. Yarı iletken proses teknolojisinin gelişmesiyle birlikte kalınlığı kontrol etme yeteneği bireysel atom katmanları seviyesine ulaşmış, bu da angstromu alanda vazgeçilmez bir birim haline getirmiştir.

Entegre devre üretiminde angstromların kullanımı kapsamlı ve önemlidir. Bu ölçüm, ince film biriktirme, dağlama ve iyon implantasyonu gibi önemli işlemlerde önemli bir rol oynar. Aşağıda birkaç tipik senaryo verilmiştir:

1. İnce Film Kalınlığı Kontrolü

Silikon oksit (SiO₂) ve silikon nitrür (Si₃N₄) gibi ince film malzemeleri, yarı iletken üretiminde genellikle yalıtım katmanları, maske katmanları veya dielektrik katmanlar olarak kullanılır. Bu filmlerin kalınlığı cihaz performansı üzerinde hayati bir etkiye sahiptir.  

Örneğin, bir MOSFET'in (metal oksit yarı iletken alan etkili transistör) geçit oksit tabakası tipik olarak birkaç nanometre, hatta birkaç angstrom kalınlığındadır. Katmanın çok kalın olması cihazın performansını düşürebilir; çok ince olması kırılmaya yol açabilir. Kimyasal buhar biriktirme (CVD) ve atomik katman biriktirme (ALD) teknolojileri, ince filmlerin angstrom düzeyinde doğrulukla biriktirilmesine olanak tanıyarak kalınlığın tasarım gereksinimlerini karşılamasını sağlar.

2. Doping Kontrolü  

İyon implantasyon teknolojisinde, implante edilen iyonların penetrasyon derinliği ve dozu, yarı iletken cihaz performansını önemli ölçüde etkiler. Angstromlar sıklıkla implantasyon derinliğinin dağılımını tanımlamak için kullanılır. Örneğin sığ bağlantı proseslerinde implantasyon derinliği onlarca angstrom kadar küçük olabilir.

3. Aşındırma Doğruluğu

Kuru aşındırmada, aşındırma hızı ve durma süresi üzerinde angstrom seviyesine kadar hassas kontrol, alttaki malzemeye zarar vermemek için çok önemlidir. Örneğin, bir transistörün geçit aşındırması sırasında aşırı aşındırma performansın düşmesine neden olabilir.

4. Atomik Katman Biriktirme (ALD) Teknolojisi

ALD, her döngüde tipik olarak yalnızca 0,5 ila 1 Å arasında bir film kalınlığı oluşturan malzemelerin her seferinde bir atomik katman halinde biriktirilmesini sağlayan bir tekniktir. Bu teknoloji, yüksek dielektrik sabiti (High-K) malzemelerle kullanılan kapı dielektrikleri gibi ultra ince filmlerin yapımında özellikle faydalıdır.

Semicorex yüksek kalite sunuyoryarı iletken gofretler. Herhangi bir sorunuz varsa veya ek ayrıntılara ihtiyacınız varsa, lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

İletişim telefonu numarası +86-13567891907

E-posta: sales@semicorex.com